[发明专利]一种像素电路和驱动方法及其应用有效
| 申请号: | 201310718885.4 | 申请日: | 2013-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN104733493B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 汪锐;高孝裕 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽;寇海侠 |
| 地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 像素 电路 驱动 方法 及其 应用 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)和第一电容(C1),每个所述晶体管均具有栅极、源极和漏极;其中,所述第一晶体管(T1)的栅极与所述第三晶体管(T3)的栅极通过连接点(N2)相连,所述第一晶体管(T1)的源极与其驱动的像素所在列的数据线相连,所述第一晶体管(T1)的漏极与所述第二晶体管(T2)源极相连,所述第二晶体管(T2)的漏极与所述第一电容(C1)的一端相连,所述第一电容(C1)的另一端与复位电源(VREF)相连,所述第二晶体管(T2)的栅极与其驱动的像素所在行的第二扫描控制信号相连;所述第三晶体管(T3)的源极用于与第一电源(ELVDD)相连,所述第三晶体管(T3)的漏极与所述第四晶体管(T4)的源极相连,所述第四晶体管(T4)的漏极形成所述像素电路的输出端(N1),所述第四晶体管(T4)的栅极用于与其驱动的像素所在行的第一扫描控制信号相连;所述第五晶体管(T5)的源极与所述连接点(N2)相连,所述第五晶体管(T5)的漏极与复位电源(VREF)相连,所述第五晶体管(T5)的栅极用于与其驱动的像素所在行的第三扫描控制信号相连;还包括附加电容,所述附加电容的一端用于与第一电源(ELVDD)相连,所述附加电容的另一端与所述连接点(N2)和所述第一电容(C1)的一端相连。
2.一种像素电路,其特征在于,包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T6)和第一电容(C1),每个所述晶体管均具有栅极、源极和漏极;其中,所述第一晶体管(T1)的栅极与所述第三晶体管(T3)的栅极通过连接点(N2)相连,所述第一晶体管(T1)的源极与其驱动的像素所在列的数据线相连,所述第一晶体管(T1)的漏极与所述第二晶体管(T2)源极相连,所述第二晶体管(T2)的漏极与所述第一电容(C1)的一端相连,所述第一电容(C1)的另一端与复位电源(VREF)相连,所述第二晶体管(T2)的栅极与其驱动的像素所在行的第二扫描控制信号相连;所述第三晶体管(T3)的源极用于与第一电源(ELVDD)相连,所述第三晶体管(T3)的漏极与所述第四晶体管(T4)的源极相连,所述第四晶体管(T4)的漏极形成所述像素电路的输出端(N1),所述第四晶体管(T4)的栅极用于与其驱动的像素所在行的第一扫描控制信号相连;所述第五晶体管(T5)的源极与所述连接点(N2)相连,所述第五晶体管(T5)的漏极与所述像素电路的输出端(N1)相连,所述第五晶体管(T5)的栅极用于与其驱动的像素所在行的第三扫描控制信号相连;所述第六晶体管(T6)的栅极用于与其驱动的像素所在行的第三扫描控制信号相连,所述第六晶体管(T6)的源极与所述输出端(N1)和所述第五晶体管(T5)的漏极相连,所述第六晶体管(T6)的漏极与复位电源(VREF)相连;还包括附加电容,所述附加电容的一端用于与第一电源(ELVDD)相连,所述附加电容的另一端与所述连接点(N2)和所述第一电容(C1)的一端相连。
3.根据权利要求1或2所述的一种像素电路,其特征在于,所述附加电容包括第二电容(C2)。
4.根据权利要求3所述的一种像素电路,其特征在于,所述附加电容还包括至少一个与所述第二电容(C2)并联连接的电容。
5.根据权利要求4所述的一种像素电路,其特征在于,还包括直流电致发光器件,所述直流电致发光器件的一端与所述像素电路的输出端(N1)相连,另一端接第二电源(ELVSS),所述第二电源(ELVSS)比所述第一电源(ELVDD)的电压低。
6.根据权利要求5所述的一种像素电路,其特征在于,所述直流电致发光器件包括OLED、DCEL、LED和电阻式灯泡中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





