[发明专利]嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求2012年10月19日递交并通过引用以其整体合并在本文中的欧洲专利申请系列号12007249.1的优先权。

技术领域

各种实施例一般地涉及嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法。

背景技术

当前存在用于生产穿过密封剂的通孔(TEV)的有限数量的方式。

在一些情况中，使用嵌入级的简单工艺序列，预制通孔棒102可以被嵌入在密封剂104中，像如图1所示的管芯。如图1所示，嵌入式通孔棒102的纺织玻璃纤维是可视的。这些通孔棒102可以是昂贵的，并且另外因为可以使用印刷电路板(PCB)技术制造这些通孔棒102，所以这些通孔棒102具有非常有限的通孔密度。可以在脱机PCB生产线中简单地插塞通孔棒102。因此，典型的通孔间距可以在几百微米的范围中，例如大约300μm。另外，可以存在有限程度的设计自由，因为通孔不可以位于所有地方。另外，通常仅可以布置非常有限数量的通孔棒，例如每侧仅一个通孔棒。

TEV还可以通过形成孔来形成，即通过激光钻孔。这后面可以是种子层沉积和在孔中电镀。具有大约250μm厚度的晶片可能难于处理。虽然通孔可以位于(一个或多个)管芯旁边的所有地方(未示出)，但是由于在密封剂材料中存在无机填充粒子，穿过密封剂材料的激光钻孔可能是挑战性的。通常可实现的通孔直径一般可以大于大约100μm，并且因此通孔密度还可能是相当有限的。另外，通孔间距可以处于大约300μm的范围中。填充粒子易于引起底切，由此使得种子层的沉积非常困难。特别在较厚的晶片(例如450μm厚)的情况下，通孔和底切的宽高比易于在种子层中引起中断的连接。随后，这可能导致通过电镀(例如通过电镀铜)的通孔填充问题。种子层中的间断，可以意味着通孔不能或者不可以全部或基本上用金属填充。插塞还可能是困难的，并且掩埋通孔通常可能是不可接受的。

在其它情况中，弹性接触元件可以被安置在围绕半导体芯片的插入器衬底之间。

发明内容

提供了用于制造嵌入式芯片封装的方法。所述方法可以包括：在衬底上方形成导电线；将所述衬底紧邻包括芯片的芯片装置放置，所述芯片包括一个或多个接触焊盘，其中一个或多个导电线被布置为接近于所述芯片的侧壁；以及在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连，以将至少一个导电线电连接至至少一个接触焊盘。

附图说明

在附图中，贯穿不同的图，相似的参考符号通常指代相同的部分。附图不必要是成比例的，相反的，重点通常在于图示本发明的原理。在随后的描述中，参考下面的附图描述本发明的各个实施例，其中：

图1示出嵌入式预制通孔棒；

图2示出根据实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图3A至3E示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图3D示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装；

图3E示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装；

图4示出根据实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图5A至5C示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图5C示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装；

图6A至6C示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图6A示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装；

图6B示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装；

图7A至7D示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图8A和8B示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图9示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图10A至10C示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图11A至11C示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图12示出根据各个实施例的用于制造嵌入式芯片封装的方法；

图13示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装；

图14示出根据各个实施例的嵌入式芯片封装。

具体实施方式

下面的详细描述涉及以图示的方式示出了其中可以实践该发明的具体细节和实施例的附图。

词语“示例性”这里用于表示“作为示例、例子或图示”等。这里描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为相对于其它实施例或设计来说是优选或有利的。