[发明专利]嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法

权利要求书

1.一种用于制造嵌入式芯片封装的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成导电线的第一层以形成预成形通孔装置; 其中所述导电线的第一层基本上具有相同的长度；

将所述预成形通孔装置放置得紧邻包括芯片的芯片装置的第一侧面，所述芯片包括设置在至少一个焊接结构上方的芯片底侧面和包括一个或多个接触焊盘的芯片顶侧面，其中所述第一层的所述导电线中的一个或多个可以被布置为接近于所述芯片的第一侧壁并且其中转动所述预成形通孔装置，以便所述导电线面对所述芯片的第一侧壁；

在所述芯片装置的第二侧面处形成导电线的第二层，其中所述导电线的第一层包括第一宽度；其中所述导电线的第二层包括第二宽度，并且其中所述第一宽度不同于所述第二宽度；以及

在将所述预成形通孔装置放置得紧邻所述芯片装置之后，在所述芯片装置上方形成基本上垂直于所述导电线并且基本上平行于所述芯片的顶侧面的一个或多个电互连，从而将至少一个导电线电连接至至少一个接触焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述预成形通孔装置上方并且至少部分围绕所述导电线的所述第一层和/或所述第二层的每一个形成电绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中使用平面沉积将所述导电线的所述第一层形成在所述衬底上方。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述导电线的所述第一层和/或所述第二层是基本彼此平行和相对彼此成一角度布置中的一种。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中每个所述导电线包括金属。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述衬底包括来自以下材料组中的至少一种材料，所述材料组包含：模制复合物、层压材料、陶瓷、半导体、液晶聚合物和隔离的金属衬底。

7.根据权利要求2所述的方法，

其中所述电绝缘材料包括来自以下材料组中的至少一种材料，所述材料组包含：模制复合物、层压材料、热固性塑料、热塑性塑料和陶瓷。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中所述芯片包括一个或多个芯片侧壁。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中所述导电线的所述第一层基本上平行于所述芯片侧壁。

10.根据权利要求8所述的方法，

其中导电线的所述第一层被布置为与芯片侧壁基本等距。

11.一种用于制造嵌入式芯片封装的方法，所述方法包括：

在第一衬底侧面上方形成导电线的第一层以形成预成形通孔装置，每个导电线具有基本上相同的长度，其中每个导电线被至少部分围绕所述导电线的电绝缘材料覆盖；

将所述预成形通孔装置的表面放置得紧邻包括芯片的芯片装置的第一侧面，所述芯片包括设置在至少一个焊接结构上方的芯片底侧面和包括一个或多个接触焊盘的芯片顶侧面，其中所述导电线的第一面被布置为接近于所述芯片的第一侧壁并且其中转动所述预成形通孔装置，以便所述导电线面对所述芯片的第一侧壁；

在所述芯片装置的第二侧面处形成导电线的第二层，其中所述第一层的每个导电线与相邻的导电线分离开第一间距，其中所述第二层的每个导电线与相邻的导电线分离开第二间距，并且其中所述第一间距不同于所述第二间距；并且

在将所述预成形通孔装置放置得紧邻所述芯片装置之后，在所述芯片装置上方形成基本上垂直于所述导电线的接续的层并且平行于所述芯片的顶侧面的至少一个电互连，从而将至少一个导电线电连接至至少一个接触焊盘。

12.根据权利要求11所述的方法，

进一步包括在所述衬底上方并且至少部分围绕所述导电线的第一层形成第一电绝缘材料。

13.根据权利要求12所述的方法，

进一步包括在所述导电线的第二层上方形成第二电绝缘材料。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中将所述预成形通孔装置放置得紧邻所述芯片装置包括：

将所述第二电绝缘材料邻接至所述芯片装置。