[发明专利]一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示器件领域，具体涉及一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法。

背景技术

有机发光显示器件（OLED ）是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器（TFT -LCD ) , OLED 具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。     目前OLED的阵列基板通常由多层金属及多层绝缘膜构成，可以采用如钼，钼钨，铝，钕化铝（Mo，MoW，Al，AlNd）等金属通过溅镀的方式形成第一层金属并作为TFT的栅极，可以采用化学气相沉积的方式形成SiN_x,SiO₂等绝缘层作为TFT的栅极绝缘层，可以采用溅镀的方式形成如钛铝钛，钼铝钼，钼（Ti/Al/Ti,Mo/Al/Mo,Mo）等金属并作为TFT的源极和漏极；可以采用化学气相沉积的方式形成SiN_x,SiO₂等绝缘层作为栅极和源漏极间的隔离绝缘层，AMOLED顶发光器件阳极普遍采用透明电极/反射电极/透明电极的结构（如氧化铟锡/银/氧化铟锡，ITO/Ag/ITO），同时在外围端子区域和柔性线路板（FPC）及IC 邦定的区域也是采用阳极来和FPC金手指接触形成导通连接，但是由于电极通电后会有高低电位的变化，同时由于水氧进入，非常容易使得ITO及Ag间发生电化学腐蚀，从而造成走线的短路或断路。

结合图1、2所示， OLED包括显示区A’和焊盘区B，显示区A’位于衬底10的预定区域上以显示图像。显示区A’具有单元像素阵列(图中未示出)和在该单元像素阵列周围的驱动电路(图中未示出)，其中该单元像素阵列具有按矩阵排列的单元像素，并且驱动电路驱动单元像素。每个单元像素包括至少一个薄膜晶体管(图中未示出)和与其电连接的一像素电极(图中未示出)。该薄膜晶体管包括一有源层、栅电极和源/漏电极。该像素电极可具有导电层的至少一个多层结构，封装区域C包围显示区A’，该封装区域C保护显示区A’中的单元像素免受外部湿气和氧气的影响。此外，在封装区域C处施加粘合衬底10和封装衬底的密封剂。

焊盘区B位于显示区A’和封装区域C的外侧，并且其是用于将施加电信号的外部模块连接至显示区A’的区域。在显示区A’和焊盘区B之间布置用于传输该电信号的各种布线。

焊盘区B具有与这些布线电连接的至少一个焊盘电极。焊盘电极可由与栅电极或源/漏电极相同的层形成。当焊盘电极由与源/漏电极相同的层形成时，栅极焊盘可置于焊盘电极之下并由与栅电极相同的层形成。焊盘电极或者栅极焊盘可与布线电连接。在此情况下，端子焊盘即源/漏电极相同的层形成的焊盘可与外部模块连接。

具体地，目前传统的有源矩阵OLED阵列基板的剖视截面示意图如图1。衬底10包括有显示区（显示区除薄膜晶体管区外还包括有电容器等结构图中未示出）的薄膜晶体管区A和焊盘区B。缓冲层11形成于衬底10上，覆盖衬底10，有源层20形成于缓冲层上，位于薄膜晶体管区A上，其中该有源层20具有沟道区201和位于沟道区201两侧的源/漏区202。栅极绝缘层30形成于有源层20上，并对应覆盖衬底10的整个表面上。栅电极40形成于栅极绝缘层30上，对应于位于沟道区201的上方。随后，层间绝缘层50形成于栅电极上，并对应覆盖衬底的整个表面。在薄膜晶体管区A的层间绝缘层50和栅极绝缘层30形成有显露出源/漏区202的源/漏接触孔。分隔开的两个源/漏电极61形成于层间绝缘层50上，其中源/漏电极61通过源/漏接触孔与源/漏区202耦合。同时，焊盘电极62（焊盘电极62与源/漏电极61由同一金属层刻蚀形成）形成于焊盘区B的层间绝缘层50上。平坦化层70形成于源/漏电极61和焊盘电极62上，对应覆盖衬底的整个表面上。平坦化层70上形成有暴露出源/漏电极61中任一个的通孔701和暴露焊盘电极62的焊盘接触孔702。