[发明专利]一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器件的阵列基板，包括薄膜晶体管区和焊盘区，其特征在于，薄膜晶体管区的源/漏极与焊盘区的端子焊盘由同一导电层形成，该导电层为多层复合层结构，其从下至上包括底层、中间层和顶层，底层是导电金属氮化物或金属中的一种或多种构成的单层或多层结构，中间层是由金属中的一种或多种构成的单层或多层结构，顶层是导电金属氮化物中的一种或几种构成的单层或多层结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，底层是由TiN、TaN、Al、Ti 或Ta中的一种或多种构成的单层或多层结构，中间层是Al、Ag或Cu中的一种或多种的单层或多层结构 ，顶层是由TiN或TaN中的一种或两种构成的单层或多层结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述顶层和中间层之间还设有过渡层，所述过渡层为Ti或Ta中的一种或两种构成的单层或多层结构。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，底层是由TiN层、TaN层、Al层、Ti层 或Ta层中的一种构成的单层结构或由其两种以上任意组合构成的多层结构，中间层是Al层、Ag层或Cu层中的一种或多种的单层或多层结构，顶层是由TiN层或TaN层中的一种构成的单层结构或二者构成的多层结构。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述顶层和中间层之间还设有过渡层，所述过渡层为Ti层或Ta层中的一种构成的单层结构或两种构成的多层结构。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为多层复合结构，该多层复合结构为：底层：钛层，中间层：铝层，顶层：氮化钛层；底层：氮化钛层，中间层：铝层，顶层：氮化钛层；底层：钽层，中间层：铝层，顶层：氮化钽层；底层：氮化钽层，中间层：铝层，顶层：氮化钽；底层：氮化钛层和钛层构成的双层结构，中间层：铝层，过渡层：钛层，顶层：氮化钛层；或者，底层：氮化钽层和钽层构成的双层结构，中间层：铝层，过渡层：钽层，顶层：氮化钽层。

7.根据权利要求1~6任一项所述的阵列基板，其特征在于，该阵列基板还包括平坦化层，其形成于薄膜晶体管区的源/漏极与焊盘区的端子焊盘上，对应覆盖该阵列基板的衬底，并形成有显露出薄膜晶体管区的源/漏极的通孔和显露出端子焊盘的通孔。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，该阵列基板还包括像素电极，其形成于平坦化层上，位于薄膜晶体管区，像素电极通过形成于平坦化层的通孔与源/漏极耦合。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，像素电极为三层结构，其从下至上依次形成的第一像素电极层、第二像素电极层和第三像素电极层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极层和第三像素电极层为透明导电材料，所述第二像素电极层为反射金属。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为ITO，所述反射金属为Ag或Al。

12.根据权利要求1~6任一项所述的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管区的栅电极与焊盘区的焊盘电极由同一导电层形成，所述端子焊盘与所述焊盘电极耦合。