[发明专利]OLED显示器件及其制备方法、OLED显示装置有效

专利信息
申请号: 201310713135.8 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN103681768B 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 陈长堤;陆相晚;骆意勇;杨涛 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;G09F9/33
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 李迪
地址: 230012 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 器件 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED显示器件,包括:衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层中掺杂有吸水有机物和吸氧有机物。

2.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层,每一层中所掺杂的吸水有机物和吸氧有机物的质量和不超过该层总质量的千分之一。

3.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述吸水有机物为铝基复合物,吸氧有机物为抗坏血酸及其衍生物。

4.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述空穴注入层由F4TCNQ、TCNQ、PPDN、CuPC、或TiOPC形成。

5.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述空穴传输层由F4TCNQ、TCNQ、PPDN、CuPC、TiOPC、或TCTA形成。

6.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述电子传输层由BCP、Bphen、TPBi、Alq3、Liq、Nbphen、或TAZ形成。

7.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述电子注入层由LiF、LiBq4、或Alq3:Li3N形成。

8.一种OLED显示装置,包括如权利要求1-7之任一所述的OLED显示器件及驱动电路。

9.一种OLED显示器件制备方法,包括以下步骤:形成衬底层的步骤、形成阳极层的步骤、形成空穴注入层的步骤、形成空穴传输层的步骤、形成发光材料层的步骤、形成电子传输层的步骤、形成电子注入层的步骤、形成阴极层的步骤以及形成封装层的步骤,其中,其特征在于,还包括在所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层中或者在用于形成所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层的材料中掺杂吸水有机物和吸氧有机物的步骤。

10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层每一层中所掺杂的吸水有机物和吸氧有机物的质量和不超过该层总质量的千分之一。

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