[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，现有的薄膜晶体管（TFT），如图1所示，包括：衬底基板101、位于衬底基板101上依次层叠设置（即沿如图1所示的箭头方向设置）的栅极102、栅绝缘层103、有源层104和源漏极105；其中，栅极102通过栅绝缘层103与有源层104相互绝缘，源漏极105包括相互绝缘的源极106和漏极107，源极106和漏极107均与有源层104连接。

在上述TFT结构中，TFT在衬底基板上所占用区域的横向宽度（即如图1所示的垂直纸面向里的宽度）的数量级为10^-6m，导致TFT在衬底基板上所占用的面积较大。在具有上述TFT结构的显示器件中，在显示器件的开口率一定时，显示器件中每个像素单元的透光区域的面积也会较大，这样会导致显示器件的分辨率较低；在显示器件的分辨率一定时，显示器件中每个像素单元的透光区域的面积一定，TFT在衬底基板上所占用的面积较大，会导致显示器件的开口率较低。

因此，如何减小薄膜晶体管在衬底基板上所占用的面积，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，用以减小薄膜晶体管在衬底基板上所占用的面积。

因此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上且沿平行于所述衬底基板的水平方向设置的栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极；其中，

所述栅极和所述有源部件相对而置，分别位于所述栅绝缘部件的两侧；

所述源漏极位于所述有源部件背离所述栅绝缘部件的一侧，包括相互绝缘的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源部件连接。

本发明实施例提供的上述薄膜晶体管，将栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极沿平行于衬底基板的水平方向设置在衬底基板上，而现有的薄膜晶体管是在衬底基板上依次层叠设置栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极，本发明实施例提供的薄膜晶体管相当于将现有的薄膜晶体管以其在衬底基板上占用的区域中较短的边为中心轴旋转90°，这样，使薄膜晶体管在衬底基板上占用区域的横向宽度的数量级由10^-6m减小至10^-10m，由此减小了薄膜晶体管在衬底基板上所占用的非透光面积，从而增大了可透光面积，这样，在显示器件的开口率一定时可以提高显示器件的分辨率，在显示器件的分辨率一定时可以增大显示器件的开口率。

具体地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，沿平行于所述衬底基板的水平方向设置所述源极与所述漏极。

具体地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，沿垂直于所述衬底基板的垂直方向设置所述源极与所述漏极。

进一步地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述源极为侧边开口的U型结构，所述漏极位于所述U型结构的开口内；或，

所述漏极为侧边开口的U型结构，所述源极位于所述U型结构的开口内。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括本发明实施例提供的上述薄膜晶体管。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。

针对本发明实施例提供的上述薄膜晶体管，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在衬底基板上沿平行于所述衬底基板的水平方向分别形成包括栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极的图形；其中，

所述栅极和所述有源部件相对而置，分别位于所述栅绝缘部件的两侧；所述源漏极位于所述有源部件背离所述栅绝缘部件的一侧，包括相互绝缘的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源部件连接。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述分别形成包括栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极的图形，具体包括：

在衬底基板上形成包括栅极的图形；

沿平行于所述衬底基板的水平方向，在所述栅极的一侧形成包括栅绝缘部件的图形；

在所述栅绝缘部件背离所述栅极的一侧形成包括有源部件的图形；

在所述有源部件背离所述栅绝缘部件的一侧形成包括源漏极的图形。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述形成包括源漏极的图形，具体包括：

采用构图工艺沿平行于所述衬底基板的水平方向分别形成源极的图形和漏极的图形。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述形成包括源漏极的图形，具体包括：