[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310710175.7 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103700708A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 周庆高;赵卓寒;刘祖宏;吴代吾;侯智 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上且沿平行于所述衬底基板的水平方向设置的栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极；其中，
所述栅极和所述有源部件相对而置，分别位于所述栅绝缘部件的两侧；
所述源漏极位于所述有源部件背离所述栅绝缘部件的一侧，包括相互绝缘的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源部件连接。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿平行于所述衬底基板的水平方向设置所述源极与所述漏极。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的垂直方向设置所述源极与所述漏极。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极为侧边开口的U型结构，所述漏极位于所述U型结构的开口内；或，
所述漏极为侧边开口的U型结构，所述源极位于所述U型结构的开口内。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的阵列基板。
7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沿平行于所述衬底基板的水平方向分别形成包括栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极的图形；其中，
所述栅极和所述有源部件相对而置，分别位于所述栅绝缘部件的两侧；所述源漏极位于所述有源部件背离所述栅绝缘部件的一侧，包括相互绝缘的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源部件连接。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述分别形成包括栅极、栅绝缘部件、有源部件和源漏极的图形，具体包括：
在衬底基板上形成包括栅极的图形；
沿平行于所述衬底基板的水平方向，在所述栅极的一侧形成包括栅绝缘部件的图形；
在所述栅绝缘部件背离所述栅极的一侧形成包括有源部件的图形；
在所述有源部件背离所述栅绝缘部件的一侧形成包括源漏极的图形。
9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述形成包括源漏极的图形，具体包括：
采用构图工艺沿平行于所述衬底基板的水平方向分别形成源极的图形和漏极的图形。
10.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述形成包括源漏极的图形，具体包括：
采用构图工艺沿垂直于所述衬底基板的垂直方向分别形成源极的图形和漏极的图形。
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