[发明专利]芯片、集成电路和微电子机械系统以及形成芯片的方法

权利要求书

1.一种芯片，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括硅通孔开口，其特征在于，所述芯片还包括设置在所述硅通孔开口内的散热硅通孔结构，其中，所述散热硅通孔结构具有微热管。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述微热管包括：

导电壳体，所述导电壳体围成封闭的内腔；

热管工作介质，密封地设置于所述内腔的内部。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述散热硅通孔结构还包括第一隔离层，所述第一隔离层设置于所述半导体衬底的硅通孔开口的内壁与所述导电壳体的外壁之间。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一隔离层包括绝缘层和/或扩散阻挡层和/或种子层。

5.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述散热硅通孔结构包括第二隔离层，所述第二隔离层设置于所述导电壳体的内壁上。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第二隔离层包括依次设置于所述导电壳体的内壁上的扩散阻挡层和种子层。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述微热管还包括多孔介质层，所述多孔介质层附着于所述第二隔离层上。

8.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述微热管还包括多孔介质层，所述多孔介质层附着于所述导电壳体的内壁上。

9.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述导电壳体包括筒体、分别设置于所述筒体两端的盖体和筒底，所述筒体、所述盖体和所述筒底围成所述封闭的内腔。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述盖体朝向所述筒体内部的一侧具有凸出部分，通过所述凸出部分实现所述筒体和所述盖体之间的密封。

11.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述筒体为柱状筒体或锥台状筒体。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片为二维芯片。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片为2.5维芯片或三维芯片。

14.一种三维芯片，包括相互叠置的两个以上二维芯片，其特征在于，所述两个以上二维芯片中至少一个二维芯片为根据权利要求12所述的二维芯片。

15.根据权利要求14所述的三维芯片，其特征在于，所述两个以上二维芯片包括第一二维芯片和与所述第一二维芯片相邻地设置的第二二维芯片，其中，所述第一二维芯片和所述第二二维芯片均为根据权利要求12所述的二维芯片。

16.根据权利要求15所述的三维芯片，其特征在于，所述第一二维芯片和所述第二二维芯片通过至少一个微焊点连接，所述第一二维芯片和所述第二二维芯片中的每个所述散热硅通孔结构均与一个所述微焊点对应连接。

17.根据权利要求16所述的三维芯片，其特征在于，所述第一二维芯片和所述第二二维芯片中的散热硅通孔结构一一对应地设置，且所述第一二维芯片和所述第二二维芯片的对应的散热硅通孔结构通过同一个所述微焊点连接。

18.根据权利要求14所述的三维芯片，其特征在于，所述三维芯片还包括散热片，所述散热片与所述两个以上二维芯片中最外侧的二维芯片相叠且抵接地设置。

19.根据权利要求15至17中任一项所述的三维芯片，其特征在于，所述三维芯片还包括散热片，所述散热片与所述两个以上二维芯片中最外侧的二维芯片相叠且抵接地设置，其中，所述散热片与相抵接的所述二维芯片中的散热硅通孔结构接触。

20.一种集成电路，包括芯片，其特征在于，所述芯片为根据权利要求1至13中任一项所述的芯片，或者所述芯片为根据权利要求14至19中任一项所述的三维芯片。

21.一种微电子机械系统，包括芯片，其特征在于，所述芯片为根据权利要求1至13中任一项所述的芯片，或者所述芯片为根据权利要求14至19中任一项所述的三维芯片。