[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的有机电致发光器件中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且，使激子复合的区域不在发光区域，从而使器件发光效率降低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的噻吩掺杂层、金属氧化物层和金属层，所述电子注入层可以提高有机电致发光器件的发光效率。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的噻吩掺杂层、金属氧化物层和金属层，所述噻吩掺杂层设置在所述电子传输层表面上，所述噻吩掺杂层的材质为噻吩类化合物和结晶型电子传输材料按质量比为0.05:1～0.2:1形成的混合材料，所述噻吩类化合物为3-己基噻吩（3HT）、3-甲基噻吩（3AT）、3-辛基噻吩（3OT）或3-十二烷基噻吩（3DDT），所述结晶型电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]（OXD-7）；所述金属氧化物层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）；所述金属层的材质为功函数为-2.0eV～-3.5eV的低功函数金属。

优选地，所述功函数为-2.0eV～-3.5eV的低功函数为镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）或镱（Yb）。

优选地，所述噻吩掺杂层的厚度为10nm～30nm，所述金属氧化物层的厚度为5nm～20nm，所述金属层的厚度为1nm～20nm。

优选地，所述结晶型电子传输材料的玻璃化转变温度为50℃～100℃。

优选地，所述导电阳极为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），厚度为50nm～300nm，更优选地，所述导电阳极为ITO，厚度为120nm。

优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅），厚度为20nm～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO₃，厚度为39nm。

优选地，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为NPB，厚度为48nm。

优选地，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），厚度为5nm～40nm，更优选地，所述发光层的材质为BCzVBi，厚度为20nm。