[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述电子注入层包括依次层叠的噻吩掺杂层、金属氧化物层和金属层，所述噻吩掺杂层设置在所述电子传输层表面上，所述噻吩掺杂层的材质为噻吩类化合物和结晶型电子传输材料按质量比为0.05:1～0.2:1形成的混合材料，所述噻吩类化合物为3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述结晶型电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]；所述金属氧化物层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；所述金属层的材质为功函数为-2.0eV～-3.5eV的低功函数金属。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功函数为-2.0eV～-3.5eV的低功函数金属为镁、锶、钙或镱。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述噻吩掺杂层的厚度为10nm～30nm，所述金属氧化物层的厚度为5nm～20nm，所述金属层的厚度为1nm～20nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或N-芳基苯并咪唑。

8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供玻璃基底，清洗后干燥；在所述玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，然后在所述阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；

（2）在所述电子传输层上制备电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠的噻吩掺杂层、金属氧化物层和金属层，所述电子注入层的制备包括：

在所述电子传输层上采用热阻蒸镀的方法制备噻吩掺杂层，所述噻吩掺杂层的材质为噻吩类化合物和结晶型电子传输材料按质量比为0.05:1～0.2:1形成的混合材料，所述噻吩类化合物为3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述结晶型电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]；所述热阻蒸镀时压强为5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，所述蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；

在所述噻吩掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；所述热阻蒸镀时压强为5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；

在所述金属氧化物层上采用热阻蒸镀的方法制备所述金属层，所述金属层的材质为功函数为-2.0eV～-3.5eV的低功函数金属，所述热阻蒸镀时压强为5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；

（3）在所述电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备阴极，得到有机电致发光器件。