[发明专利]用于单片数据转换接口保护的装置及其形成方法

权利要求书

1.一种设备，包括:

衬底；

衬底中的第一掺杂类型的第一半导体区域；

衬底中的第二掺杂类型的第二半导体区域；

衬底中的第一掺杂类型的第三半导体区域，其中第二半导体区域位于第一和第三半导体区域之间；

衬底中的第二掺杂类型的第四半导体区域，其中第三半导体区域位于第二和第四半导体区域之间；

第一半导体区域中的第二类型的第一扩散区域；

与第一半导体区域邻接的第一栅极区域；

第二半导体区域中的第一类型的第二扩散区域；

第二半导体区域中的第一类型的第三扩散区域；

第三半导体区域中的第二类型的第四扩散区域；

第四半导体区域中的第一类型的第五扩散区域；以及

与第四半导体区域邻接的第二栅极区域，

其中第二扩散区域、第二半导体区域、第一半导体区域和第一扩散区域被配置成操作作为第一硅控整流器(SCR)，

其中第三扩散区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四扩散区域被配置成操作作为第二SCR，而且

其中第五扩散区域、第四半导体区域、第三半导体区域和第四扩散区域被配置成操作作为第三SCR。

2.根据权利要求1所述的设备，其中第一半导体区域包括第一阱区域，其中第二半导体区域包括第二阱区域，其中第三半导体区域包括第三阱区域，而且其中第四半导体区域包括第四阱区域。

3.根据权利要求2所述的设备，进一步包括衬底中的第一掺杂类型的第五阱区域，其中第四阱区域处于第三和第五阱区域之间，

其中第一阱区域和第一扩散区域之间的结被配置成操作作为第一二极管，其中第五扩散区域和第四阱区域之间的结被配置成操作作为第二二极管，而且

其中第五阱区域和第四阱区域之间的结被配置成操作作为第三二极管。

4.根据权利要求3所述的设备，进一步包括：

与第一和第五扩散区域电连接的信号节点；

与第二和第三扩散区域电连接的第一电源节点；以及

与第四扩散区域电连接的第二电源节点。

5.根据权利要求4所述的设备，进一步包括：

与第一和第二阱区域的边界邻接的第三栅极区域；

与第二和第三阱区域的边界邻接的第四栅极区域；以及

与第三和第四阱区域的边界邻接的第五栅极区域。

6.根据权利要求5所述的设备，其中第三栅极区域包括与第一类型相关的金属，第四栅极区域包括与第二类型相关的金属，而且第五栅极区域包括与第二类型相关的金属。

7.根据权利要求6所述的设备，其中第三栅极区域被电连接至第一电源节点，其中第四栅极区域被电连接至第二电源节点，而且其中第五栅极区域被电连接至第二电源节点。

8.根据权利要求6所述的设备，进一步包括：

第一抗保护氧化物(RPO)区域，其中第一RPO区域的至少一部分布置在第一扩散区域和第三栅极区域之间；

第二RPO区域，其中第二RPO区域的至少一部分布置在第三扩散区域和第四栅极区域之间；以及

第三RPO区域，其中第三RPO区域的至少一部分布置在第五扩散区域和第五栅极区域之间。

9.根据权利要求4所述的设备，进一步包括：

处于第一阱区域中并与第二电源节点电连接的第一类型的第六扩散区域；处于第二阱区域中并与第一电源节点电连接的第二类型的第七扩散区域；处于第四阱区域中并与第一电源节点电连接的第二类型的第八扩散区域；以及

处于第五阱区域中并与第二电源节点电连接的第一类型的第九扩散区域。

10.根据权利要求9所述的设备，

其中第一栅极区域布置在第一和第六扩散区域之间；而且

其中第二栅极区域布置在第五和第八扩散区域之间。

11.根据权利要求10所述的设备，其中第一栅极区域包括与第二类型相关的金属，而且第二栅极区域包括与第一类型相关的金属。

12.根据权利要求10所述的设备，其中第一和第二栅极区域电悬浮。

13.根据权利要求9所述的设备，进一步包括电连接在第七扩散区域和第一电源节点之间的清晰电阻器。