[发明专利]MiM电容器有效

专利信息
申请号: 201310695758.7 申请日: 2013-12-17
公开(公告)号: CN104052451B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 王建荣;陈焕能;周淳朴;邱垂青 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: mim 电容器
【权利要求书】:

1.一种控制一个或多个电容器的方法,包括:

当连接至第一电容器的节点处的第一信号具有第一逻辑状态时,确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的所述第一电容器具有第一缺陷;以及

响应于所述确定:

禁用所述第一电容器;并且

将具有第一逻辑状态的所述第一信号提供给第一逻辑门,以使通过所述第一逻辑门输出的第一门信号从第一非使能逻辑状态转换为第一使能逻辑状态,其中,所述第一使能逻辑状态使第一晶体管导通以启用第二电容器。

2.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法,所述第一电容器和所述第二电容器中的至少一个包括高密度金属-绝缘体-金属电容器。

3.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法,所述第二电容器具有以下情况中的至少一种:

在所述确定之前被禁用;和

在所述确定之前通过电压源充电。

4.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法,包括:

确定所述第二电容器具有第二缺陷;以及

响应于所述第二电容器具有所述第二缺陷的确定:

禁用所述第二电容器;并且

启用第三电容器。

5.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法,所述第一缺陷对应于短路。

6.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法,所述禁用包括使具有连接至所述节点的源极/漏极区域的第二晶体管截止。

7.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法,包括:

将具有所述第一逻辑状态的所述第一信号提供给反相器,

通过所述反相器将具有第二逻辑状态的第二信号施加给第二逻辑门,以使通过所述第二逻辑门输出的第二门信号从第二使能逻辑状态转换为第二非使能逻辑状态,其中,所述第二非使能逻辑状态使第二晶体管截止以禁用所述第一电容器,所述第二逻辑状态为反相的所述第一逻辑状态。

8.一种控制一个或多个电容器的系统,包括:

第一电容器,连接至第一节点;

第一晶体管,具有连接至所述第一节点的第一源极/漏极区域和与电压源连接的第二源极/漏极区域;

第一逻辑门,具有连接至所述第一节点的第一输入;

第二晶体管,具有连接至所述第一逻辑门的输出的栅极和连接至第二节点的第三源极/漏极区;

第二电容器,连接至所述第二节点并且被配置为响应于确定所述第一电容器具有缺陷的所述第一逻辑门而被启用。

9.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的系统,包括:

反相器,连接至所述第一节点;以及

第二逻辑门,具有连接至所述反相器的第一输入。

10.根据权利要求9所述的控制一个或多个电容器的系统,所述第二逻辑门的输出连接至所述第一晶体管的栅极。

11.根据权利要求10所述的控制一个或多个电容器的系统,所述第二逻辑门被配置为响应于所述确定而输出具有非使能逻辑状态的门信号,以使所述第一晶体管截止。

12.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的系统,包括:反相器,连接至第二节点并且连接至所述第一逻辑门的第二输入。

13.根据权利要求12所述的控制一个或多个电容器的系统,所述第一逻辑门为与门。

14.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的系统,所述第二晶体管具有连接至所述电压源的第四源极/漏极区域。

15.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的系统,包括第三电容器,所述第三电容器被配置为响应于确定所述第二电容器具有第二缺陷而被启用。

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