[发明专利]一种背接触晶硅电池及其非受光面处理方法和其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种背接触晶硅电池及其非受光面处理方法和其制备方法，属于晶硅太阳能电池技术领域。 

背景技术

太阳能光伏发电产业发展非常迅速，自2007年以来中国的光伏产量一直占据全球首位，产品类型以晶体硅电池和组件为主，占据近90％的市场份额。虽然中国光伏制造量第一，但光伏产品的光电转换效率却处于中等水平。 

晶硅太阳能电池是太阳能电池的一种，作用主要是将太阳的光能转换成电能。晶硅太阳能电池一边接收来自太阳的光子产生载流子，一边进行着载流子的复合。当载流子复合速率较大时，晶体硅太阳能电池产生的电流就会减小，电流生产效率同时降低，即光电转换效率降低。背接触式太阳能电池将电极设计在电池的非受光面从而消除了电极线的遮光损失，最大限度地利用了太阳能，能够在某种程度上提高太阳能电池的光电转换效率。 

为进一步提高晶硅太阳能电池的光电转换效率，现有的解决方案一般是在晶硅太阳能电池表面沉积钝化膜，以实现降低载流子复合速率，从而提高晶硅太阳能电池生产电流的效率的目的。中国专利文献CN201655813U公开了一种晶体硅太阳能电池钝化膜，并具体公开了硅片的上表面具有一层在热硝酸液体中生长形成的起钝化作用的二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜的上表面具有一层氮化硅薄膜。该专利文献中公开的二氧化硅薄膜可以提高太阳能电池的光电转换效率，并使晶硅太阳能电池不易被腐蚀，可以防潮，并能够提高太阳能电池的使用寿命，虽然上述钝化薄膜技术降低了晶硅电池利用太阳能产生的载流子复合的速率，但是，光电转换效率还是不够理想，并且由于钝化膜的厚度很薄，不 能有效的保护晶硅电池。 

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中晶硅电池光电转换效率较低的缺陷，从而提供一种光电转换效率较高的背接触晶硅电池。 

本发明要解决的另一个技术问题是提供一种背接触晶硅电池非受光面的处理方法。 

本发明要解决的再一个技术问题是提供一种光电转换效率高的背接触晶硅电池的制备方法。 

为此，本发明提供一种背接触晶硅电池，包括硅基板，所述硅基板具有受光面和非受光面，在所述非受光面上设有P型区汇流导电带和N型区汇流导电带，并成P-N-P-N型排列结构，所述P型区汇流导电带与正极金属电极连接，所述N型区汇流导电带与负极金属电极连接，还包括覆盖所述P型区汇流导电带和所述N型区汇流导电带、设置在所述非受光面上的2-8层布拉格反射层，每层所述布拉格反射层包括一层由第一材质形成的第一布拉格反射膜和一层由第二材质形成的第二布拉格反射膜,所述布拉格反射层沿所述晶硅电池的厚度方向设置，且所述第一布拉格反射膜和所述第二布拉格反射膜沿着晶硅电池的厚度方向交错叠加；所述第二材质的折射率n₂大于所述第一材质的折射率n₁。 

所述第一材质为SiO₂，所述第二材质为SiNx。 

可选地，所述第一材质为SiO₂，所述第二材质为TiO₂。 

所述第一布拉格反射膜具有第一厚度d1，所述第二布拉格反射膜具有第二厚度d2，d1=d2=1/8λ，λ为目标反射光线的中心波长。 

所述第一布拉格反射膜具有第一厚度d1，所述第二布拉格反射膜具有第二厚度d2，d1=(2λ₁-λ₂)/(2n₁)，d2=(λ₂-λ₁)/(2n₂)，λ₁和λ₂分别为两个目标反射光线的中心波长。 

在所述非受光面上所有所述布拉格反射层的厚度总和为290-1200nm。 

在所述非受光面上所有所述布拉格反射层的厚度总和为290-800nm。 

所述受光面上还设有受光面减反层。 

本发明还提供了一种背接触晶硅电池非受光面的处理方法，包括如下步骤： 

1）在晶硅电池的非受光面上沉积一层由第一材质形成的第一布拉格反射膜； 

2）在所述第一布拉格反射膜上沉积一层由第二材质形成的第二布拉格反射膜，所述第二材质的折射率n₂大于所述第一材质的折射率n₁，所述第一布拉格膜和所述第二布拉格反射膜构成一层布拉格反射层；