[发明专利]一种背接触晶硅电池及其非受光面处理方法和其制备方法

权利要求书

1.一种背接触晶硅电池，包括硅基板（100），所述硅基板（100）具有受光面和非受光面，在所述非受光面上设有P型区汇流导电带（108）和N型区汇流导电带（112），并成P-N-P-N型排列结构，所述P型区汇流导电带（108）与正极金属电极（110）连接，所述N型区汇流导电带（112）与负极金属电极连接，其特征在于：还包括覆盖所述P型区汇流导电带（108）和所述N型区汇流导电带（112）设置在所述非受光面上的2-8层布拉格反射层（200），每层所述布拉格反射层（200）包括一层由第一材质形成的第一布拉格反射膜和一层由第二材质形成的第二布拉格反射膜,所述布拉格反射层（200）沿所述晶硅电池的厚度方向设置，且所述第一布拉格反射膜和所述第二布拉格反射膜沿着晶硅电池的厚度方向交错叠加；所述第二材质的折射率n₂大于所述第一材质的折射率n₁。

2.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于：所述第一材质为SiO₂，所述第二材质为SiNx。

3.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于：所述第一材质为SiO₂，所述第二材质为TiO₂。

4.根据权利要求2或3所述的背接触晶硅电池，其特征在于：所述第一布拉格反射膜具有第一厚度d1，所述第二布拉格反射膜具有第二厚度d2，d1=d2=1/8λ，λ为目标反射光线的中心波长。

5.根据权利要求2或3所述的背接触晶硅电池，其特征在于：所述第一布拉格反射膜具有第一厚度d1，所述第二布拉格反射膜具有第二厚度d2，d1=(2λ₁-λ₂)/(2n₁)，d2=(λ₂-λ₁)/(2n₂)，λ₁和λ₂分别为两个目标反射光线的中心波长。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的背接触晶硅电池，其特征在于：所述非受光面上所有所述布拉格反射层（200）的厚度总和为290-1200nm。

7.根据权利要求6所述的背接触晶硅电池，其特征在于：在所述非受光面上所有所述布拉格反射层（200）的厚度总和为290-800nm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的背接触晶硅电池，其特征在于：所述受光面上还设有受光面减反层（102）。

9.一种背接触晶硅电池非受光面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在晶硅电池的非受光面上沉积一层由第一材质形成的第一布拉格反射膜；

2）在所述第一布拉格反射膜上沉积一层由第二材质形成的第二布拉格反射膜，所述第二材质的折射率n₂大于所述第一材质的折射率n₁，所述第一布拉格膜和所述第二布拉格反射膜构成一层布拉格反射层（200）；

3）在已经形成的所述布拉格反射层（200）上重复所述步骤1）和步骤2）1-7次，使所述第一布拉格反射膜和所述第二布拉格反射膜沿所述非受光面的厚度方向交替沉积，从而在所述非受光面上沉积2-8层所述布拉格反射层（200）。

10.根据权利要求9所述的背接触晶硅电池非受光面的处理方法，其特征在于：采用SiO₂作为第一材质，采用SiNx作为第二材质。

11.根据权利要求9所述的背接触晶硅电池非受光面的处理方法，其特征在于：采用SiO₂作为第一材质，采用TiO₂作为第二材质。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的背接触晶硅电池非受光面的处理方法，其特征在于：目标反射光线的中心波长为λ时，在所述非受光面上沉积d1厚度的所述第一布拉格反射膜和d2厚度的所述第二布拉格反射膜，且d1=d2=1/8λ。