[发明专利]通过电子束光刻利用单次曝光限定多层图案的方法有效
| 申请号: | 201310682235.9 | 申请日: | 2013-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN104157565A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
| 发明(设计)人: | 卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通过 电子束光刻 利用 曝光 限定 多层 图案 方法 | ||
1.一种方法,包括:
在衬底上形成第一光刻胶层;
在所述第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层;以及
对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层执行电子束光刻曝光工艺,从而在所述第一光刻胶层中形成第一潜在部件并且在所述第二光刻胶层中形成第二潜在部件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,执行所述电子束光刻曝光工艺包括:使用具有三个剂量级的剂量图来执行所述电子束光刻曝光工艺。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述剂量图包括限定第一主要部件的第一剂量级和限定第二主要部件的第二剂量级,所述第一主要部件被设计为由所述第一光刻胶层中的所述第一潜在部件形成,所述第二主要部件被设计为由所述第二光刻胶层中的所述第二潜在部件形成。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,执行所述电子束光刻曝光工艺包括:使用所述第一剂量级写入所述第一主要部件并且使用小于所述第一剂量级的所述第二剂量级写入所述第二主要部件。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述剂量图包括限定背景区的第三剂量级,并且所述第三剂量级为零。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
使所述第一光刻胶层显影以由所述第一潜在部件形成第一主要部件;以及
使所述第二光刻胶层显影以由所述第二潜在部件形成第二主要部件。
7.根据权利要求6所述的方法,在形成所述第一光刻胶层之前还包括:
在所述衬底上形成第一材料层;以及
在所述第一材料层上形成第二材料层。
8.根据权利要求7所述的方法,在使所述第一光刻胶层显影和使所述第二光刻胶层显影之后还包括:
将所述第一主要部件转印至所述第一材料层;以及
将所述第二主要部件转印至所述第二材料层。
9.一种方法,包括:
在衬底上形成第一材料层;
在所述第一材料层上形成第二材料层;
在所述第二材料层上形成第一光刻胶层;
在所述第一光刻胶层上形成中间材料层;
在所述中间材料层上形成第二光刻胶层;
根据具有3个剂量级的剂量图对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层执行电子束光刻曝光工艺,从而同时在所述第一光刻胶层中形成第一潜在部件并且在所述第二光刻胶层中形成第二潜在部件;
使所述第二光刻胶层显影以由所述第二潜在部件形成第二主要部件;以及
使所述第一光刻胶层显影以由所述第一潜在部件形成第一主要部件。
10.一种方法,包括:
接收具有第一层图案和第二层图案的集成电路(IC)设计结构,所述第一层图案限定将形成在衬底上的第一材料层中的至少一个第一部件,而所述第二层图案限定将形成在第二材料层中的至少一个第二部件,所述第二材料层设置在所述第一材料层上;以及
生成限定所述第一层图案和所述第二层图案的组合图案的电子束写入剂量图,所述电子束写入剂量图包括具有第一剂量的第一部件和具有小于所述第一剂量的第二剂量的第二部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





