[发明专利]借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强

权利要求书

1.一种掩模，包含：

置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及

置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区。

2.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的相移与该多个第二相移区的相移有不同的相位。

3.根据权利要求2所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的相移与该多个第二相移区的相移有大约180度的相位差。

4.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的第一相移区具有零度相移。

5.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第二相移区的第二相移区具有180度相移。

6.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区与该多个第二相移区以越过该掩模的至少一个方向予以对齐，并且依越过该掩模的该至少一个方向以交替方式予以分隔。

7.根据权利要求6所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区及该多个第二相移区以第一方向及垂直于该第一方向的第二方向予以对齐。

8.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，以及其中，该多个第一相移区借由蚀刻该掩模的该前侧予以形成，以及该多个第二相移区借由蚀刻该掩模的该背侧予以形成。

9.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第二相移区的宽度大于该多个第一相移区的宽度。

10.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，该多个第一相移区的第一相移区以及该多个第二相移区的第二相移区借由沉积于该掩模的该第一侧上的不透明材料予以分隔。

11.根据权利要求10所述的掩模，其特征在于，该不透明材料置于半透明基底的第一侧上方，以及其中，该多个第二相移区借由蚀刻该半透明基底的第二侧予以形成。

12.一种方法，包含：

形成置于掩模的第一侧上的多个第一相移区；以及

形成置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该多个第一相移区的相移与该多个第二相移区的相移有不同的相位。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成该多个第一相移区及形成该多个第二相移区包含以越过该掩模的至少一个方向对齐该多个第一相移区与该多个第二相移区，以及以越过该掩模的该至少一个方向依交替方式分隔该多个第一相移区和该多个第二相移区。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该第一侧包含该掩模的前侧以及该第二侧包含该掩模的背侧，以及其中，形成该多个第一相移区包含蚀刻该掩模的该前侧，以及形成该多个第二相移区包含蚀刻该掩模的该背侧。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该多个第一相移区的第一相移区及该多个第二相移区的第二相移区借由沉积于该掩模的该第一侧上的不透明材料予以分隔。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，该方法更包含在半透明基底的第一侧上方沉积该不透明材料，以及蚀刻该不透明材料以曝露该半透明基底的该第一侧的多个部位，以及其中，形成该多个第二相移区包含蚀刻该半透明基底的第二侧。

18.一种半导体装置制造方法，包含：

在半导体装置中制造多个通孔，该制造包含：

取得掩模，包含(i)置于该掩模的第一侧上的多个第一相移区、和(ii)置于该掩模的第二侧上的多个第二相移区；以及

使该掩模承受电磁辐射的曝照，该曝照对于将该多个通孔印制在该半导体装置的基底上起作用。

19.根据权利要求18所述的半导体装置制造方法，其特征在于，该掩模的该第一侧包含该掩模的前侧，以及该掩模的该第二侧包含该掩模的背侧，以及其中，该多个第一相移区借由蚀刻该掩模的该前侧予以形成，以及该多个第二相移区借由蚀刻该掩模的该背侧予以形成。

20.根据权利要求18所述的半导体装置制造方法，其特征在于，该多个第一相移区的第一相移区和该多个第二相移区的第二相移区借由在该掩模的该第一侧上沉积的不透明材料予以分隔，以及其中，该多个第二相移区借由蚀刻该半透明基底的第二侧予以形成。