[发明专利]一种改善漏电的射频LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种改善漏电的射频LDMOS器件，在栅氧化层之上具有硅化物阻挡层，在硅化物阻挡层之上具有屏蔽环阻挡层；其特征是：

在漏极之上具有引出端粘附层，在引出端粘附层之上具有漏极引出端；

在屏蔽环介质层上具有屏蔽环粘附层，在屏蔽环粘附层上具有金属法拉第屏蔽环；

所述引出端粘附层和屏蔽环粘附层为相同的多晶硅或钛材料；

所述漏极引出端和金属法拉第屏蔽环为相同的金属或金属硅化物材料。

2.根据权利要求1所述的改善漏电的射频LDMOS器件，其特征是，所述引出端粘附层在垂直方向上分为两部分：第一部分穿透屏蔽环介质层、硅化物阻挡层和栅氧化层，与漏极的表面相接触；第二部分在屏蔽环介质层之上。

3.根据权利要求2所述的改善漏电的射频LDMOS器件，其特征是，所述引出端粘附层在的第二部分的横截面大于第一部分。

4.根据权利要求1所述的改善漏电的射频LDMOS器件，其特征是，所述屏蔽环粘附层分为三部分：第一部分在靠近漏极的部分栅极的正上方，位置最高；第二部分在靠近漏极的侧墙的正上方，连接第一部分和第三部分；第三部分在部分漂移区的正上方，位置最低。

5.一种改善漏电的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在第一掺杂类型的硅衬底上外延生长出第一掺杂类型的外延层；

第2步，在外延层上先热氧化生长出栅氧化层，再淀积一层多晶硅；

第3步，采用光刻和刻蚀工艺将多晶硅刻蚀成多晶硅栅极，对多晶硅栅极两侧或漏端一侧下方的外延层注入第二掺杂类型的杂质，形成漂移区；

第4步，采用光刻和离子注入工艺对多晶硅栅极源端一侧下方的外延层注入第一掺杂类型的型杂质，形成沟道区；

第5步，采用光刻和离子注入工艺，在沟道区、漂移区中分别形成第二掺杂类型的源极、漏极，还在沟道区中形成第一掺杂类型的体区引出端；

第6步，淀积硅化物阻挡层，对其干法反刻在多晶硅栅极的两侧形成侧墙，在多晶硅栅极和栅氧化层上仍保留硅化物阻挡层；

第7步，采用光刻和刻蚀工艺暴露源极和体区引出端的至少部分表面、多晶硅栅极的至少部分表面，在这些表面分别形成源极金属硅化物、栅极金属硅化物；

第8步，淀积屏蔽环介质层；

第9步，采用光刻和刻蚀工艺暴露漏极的至少部分表面；

第10步，淀积粘附层，至少将漏极上方的沟槽或孔填充满；

第11步，淀积一层金属；

第12步，采用光刻和刻蚀工艺将金属硅化物和粘附层均刻蚀出两部分结构；第一部分在部分多晶硅栅极之上并向漏端方向延伸到部分漂移区之上，作为金属法拉第屏蔽环和屏蔽环粘附层；第二部分在漏极之上，作为漏极引出端和引出端粘附层；

第13步，淀积金属前介质，再采用平坦化工艺将其表面研磨平整。

6.根据权利要求5所述的改善漏电的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第5步中，两次光刻和离子注入工艺的顺序互换。

7.根据权利要求5所述的改善漏电的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第6步中，硅化物阻挡层为氧化硅，厚度为

8.根据权利要求5所述的改善漏电的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第8步中，屏蔽环介质层为氧化硅，厚度为

9.根据权利要求5所述的改善漏电的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第10步中，粘附层为多晶硅或钛；

当粘附层为多晶硅，在淀积多晶硅的同时原位掺杂第二掺杂类型的杂质，或在淀积之后注入第二掺杂类型的杂质。

10.根据权利要求5所述的改善漏电的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第11步中，当该层金属下方的粘附层是多晶硅，则通过退火工艺使该层金属与多晶硅反应而形成金属硅化物；

当该层金属下方的粘附层是钛，则进行退火。