[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法有效
申请号: | 201310671468.9 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103915353B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马红梅;徐红燕 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 使用 标准化 载体 形成 嵌入式 晶片 芯片 尺寸 封装 方法 | ||
本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种半导体器件包括标准化载体。半导体晶片包括多个半导体管芯和基底半导体材料。通过基底半导体材料的第一部分单切半导体晶片以分离半导体管芯。将半导体管芯设置在标准化载体上。标准化载体的尺寸与半导体管芯的尺寸无关。将密封剂沉积在标准化载体上且在半导体管芯周围。在半导体管芯上形成互连结构,同时使得密封剂没有互连结构。通过密封剂单切半导体器件。密封剂保持设置在半导体管芯的侧面上。可替换地,通过基底半导体的第二部分且通过密封剂来单切半导体器件以从半导体管芯的侧面去除基底半导体的第二部分和密封剂。
要求保护本国优先权
本申请要求保护2013年1月3日提交的美国临时申请No. 61/748,742的权益,通过引用将该申请合并于此。
技术领域
本发明总体上涉及半导体器件,并且更特别地涉及半导体器件以及使用标准化载体形成晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的方法。
背景技术
半导体器件常见于现代电子产品中。半导体器件在电气部件的数目和密度方面变化。分立的半导体器件通常包含一种类型的电气部件,例如发光二极管(LED)、小型信号晶体管、电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件典型地包含几百到几百万个电气部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池、以及数字微镜器件(DMD)。
半导体器件执行许多种功能,诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光变换成电、以及为电视显示创建视觉投影。半导体器件见于娱乐、通信、功率转换、网络、计算机以及消费者产品的领域中。半导体器件还见于军事应用、飞机制造业、汽车、工业控制器以及办公设备中。
半导体器件利用了半导体材料的电气性质。半导体材料的结构允许通过施加电场或基底电流或者通过掺杂工艺来操纵其电导率。掺杂将杂质引入到半导体材料中以便操纵和控制半导体器件的电导率。
半导体器件包含有源和无源电气结构。包括双极型和场效应晶体管的有源结构控制电流的流动。通过改变掺杂级以及电场或基底电流的施加,晶体管提升或者约束电流的流动。包括电阻器、电容器和电感器的无源结构创建了执行各种各样的电气功能所必需的电压和电流之间的关系。无源和有源结构被电连接以形成电路,该电路使半导体器件能够执行高速操作和其他有用功能。
通常使用两个复杂制造工艺(即前端制造和后端制造)来制造半导体器件,该前端制造和后端制造中的每一个都潜在地包括几百个步骤。前端制造包括将多个管芯形成在半导体晶片的表面上。每个半导体管芯通常相同且包含通过电连接有源和无源部件而形成的电路。后端制造包括从完成的晶片单切(singulate)个体半导体管芯以及封装该管芯以提供结构支撑和环境隔离。如这里所使用的术语“半导体管芯”指代该词语的单数和复数形式二者,并且相应地可以指代单个半导体器件和多个半导体器件二者。
半导体制造的一个目标是生产更小半导体器件。更小器件通常耗费更少功率,具有更高性能,并可以被更高效地生产。此外,更小半导体器件具有更小的覆盖区,这对于更小的最终产品来说是期望的。可以通过得到具有更小、更高密度的有源和无源部件的半导体管芯的前端工艺中的改进来实现更小的半导体管芯尺寸。后端工艺可以通过电互连以及封装材料中的改进来得到具有更小覆盖区的半导体器件封装。
传统半导体晶片通常包含由锯道(saw street)分离的多个半导体管芯。有源和无源电路被形成在每个半导体管芯的表面中。可以在半导体管芯的表面上形成互连结构。半导体晶片被单切成个体半导体管芯以用在各种各样的电子产品中。半导体制造的重要方面是高产量以及对应的低成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造