[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法有效

专利信息
申请号: 201310671468.9 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN103915353B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马红梅;徐红燕
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 以及 使用 标准化 载体 形成 嵌入式 晶片 芯片 尺寸 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种制作半导体器件的方法,包括:

提供标准化载体;

将半导体管芯设置在所述标准化载体上,其中所述半导体管芯包括保留在所述半导体管芯的侧面处的部分基底衬底材料,且其中所述标准化载体的尺寸与所述半导体管芯的尺寸无关;

将密封剂沉积在所述半导体管芯和标准化载体上;以及

通过所述密封剂以及所述基底衬底材料进行单切以形成半导体封装。

2.根据权利要求1所述的方法,其中通过所述密封剂进行单切还包括从所述半导体管芯的侧面去除所述密封剂。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括:

提供包括多个所述半导体管芯和基底衬底材料的半导体晶片;以及

通过所述基底衬底材料的第一部分单切所述半导体晶片以分离所述半导体管芯。

4.一种制作半导体器件的方法,包括:

提供标准化载体;

将半导体管芯设置在所述标准化载体上,其中所述半导体管芯包括保留在所述半导体管芯的侧面处的部分基底衬底材料,且其中所述标准化载体的尺寸与所述半导体管芯的尺寸无关;

在所述标准化载体和半导体管芯上沉积密封剂;

在沉积所述密封剂之后去除所述标准化载体;

通过以下步骤在所述半导体管芯上形成互连结构,同时使得所述半导体管芯周围的外围区没有互连结构,

(a)在所述半导体管芯上形成第一绝缘层,其中所述第一绝缘层终止于所述半导体管芯的覆盖区内,

(b)在所述第一绝缘层上形成导电层,其中所述导电层终止于所述半导体管芯的覆盖区内,以及

(c)在所述导电层和第一绝缘层上形成第二绝缘层,其中所述第二绝缘层终止于所述半导体管芯的覆盖区内;并且

通过所述密封剂以及所述基底衬底材料进行单切以形成半导体封装。

5.根据权利要求4所述的方法,还包括:

提供包括多个所述半导体管芯和基底衬底材料的半导体晶片,所述基底衬底材料被设置在所述半导体管芯之间;以及

在将半导体管芯设置在所述标准化载体上之前,通过所述基底衬底材料单切所述半导体晶片以分离所述半导体管芯。

6.根据权利要求4所述的方法,还包括:

提供包括多个所述半导体管芯的半导体晶片;以及

对所述半导体晶片进行单切以分离所述半导体管芯,其中设置在所述标准化载体上的半导体管芯的数目与从所述半导体晶片单切的半导体管芯的数目无关。

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