[发明专利]一种多功能封装膜及显示装置有效
| 申请号： | 201310666515.0 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103647027A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 曾庆慧;李重君;徐晓光;刘飞;王继亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;G02B5/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多功能 封装 显示装置 | ||
1.一种多功能封装膜，其特征在于，包括：
偏光膜层、相位差膜层、下阻水氧膜层和上支撑膜层；
所述相位差膜层位于偏光膜层的下方，
所述下阻水氧膜层位于相位差膜层的上方或下方；
所述上支撑膜层位于偏光膜层的上方。
2.如权利要求1所述的多功能封装膜，其特征在于，还包括：下支撑膜层，所述下支撑膜层位于偏光膜层和相位差膜层之间。
3.如权利要求1所述的多功能封装膜，其特征在于，还包括：上阻水氧膜层，所述上阻水氧膜层位于上支撑膜层的上方或下方。
4.如权利要求1所述的多功能封装膜，其特征在于，所述偏光膜层为具有线偏光性的膜层。
5.如权利要求4所述的多功能封装膜，其特征在于，所述偏光膜层为聚乙烯醇PVA。
6.如权利要求4所述的多功能封装膜，其特征在于，所述偏光膜层的厚度为10nm-50um。
7.如权利要求1所述的多功能封装膜，其特征在于，所述相位差膜为1/4波长相位差膜或由1/4波长相位差膜与1/2波长相位差膜叠加形成的膜层。
8.如权利要求7所述的多功能封装膜，其特征在于，所述相位差膜的膜厚为10nm～100um。
9.如权利要求3所述的多功能封装膜，其特征在于，所述上阻水氧膜层和/或下阻水膜层为无机材料或无机有机混合材料。
10.如权利要求9所述的多功能封装膜，其特征在于，所述无机材料为SiNx或SiC。
11.如权利要求9所述的多功能封装膜，其特征在于，所述无机材料为金属氧化物。
12.如权利要求11所述的多功能封装膜，其特征在于，所述金属氧化物为Al2O3、TiO2。
13.如权利要求9所述的多功能封装膜，其特征在于，所述无机有机混合材料为PP-HMDSO（plasma-polymerized hexamethyldisiloxane）与SiNx、SiOx或SiOC的混合。
14.如权利要求9所述的多功能封装膜，其特征在于，上阻水氧膜层和/或下阻水膜层的膜厚为10nm～5um。
15.如权利要求2所述的多功能封装膜，其特征在于，所述上支撑膜层和/或下支撑膜层材料为三醋酸纤维膜、亚克力、环烯烃聚合物膜或聚碳酸酯膜。
16.如权利要求2所述的多功能封装膜，其特征在于，所述上支撑膜层和/或下支撑膜层的膜厚为1um～100um。
17.如权利要求1所述的多功能封装膜，其特征在于，所述多功能膜的两外侧分别设有保护膜层和异性膜层。
18.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板，所述显示面板上贴覆权利要求1-17任一项所述的多功能封装膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
