[发明专利]一种高速IC-QFN封装协同优化设计方法

权利要求书

1.一种高速IC-QFN封装，其特征在于：采用三维封装工艺，包含两个及两个以上芯片的封装，芯片总管脚数不太高的情况下可使用，堆叠芯片之间的连接采用硅通孔工艺，芯片到地的连接通过硅通孔工艺直接连接到中央散热焊盘，QFN封装中中央焊盘是直接与地相连接的;在减小热应力方面，本发明采用改进的封装流程和改进的封装结构以减小热应力对芯片可靠性的影响。

2.如权利要求1所述的高速IC-QFN封装，其特征在于采用QFN布线代替传统的bonding wire。

3.如权利要求1所述的高速IC-QFN封装，其特征在于RF芯片需要连接到地的端口通过TSV通孔线穿过大功率芯片，由底部散热板连接到地。

4.如权利要求1所述的三维TSV技术，其特征在于采用激光刻蚀。

5.如权利要求1所述的芯片与布线之间的连接使用的材料为锡。

6.如权利要求1所述的三维TSV技术，其特征在于下层芯片减薄至100um，通孔直径为50um。

7.如权利要求1所述的采用的新型封装流程，其特征在于在传统的注塑固化之前增加一步流程退火的工艺。

8.如权利要求1所述的改进的封装结构，其特征在于最下层芯片外围增加环形的结构。

9.如权利要求1所述的改进的封装结构，其特征在于底层散热板与底层芯片的厚度比为1：1。

10.如权利要求1所述的高速IC-QFN封装，其特征在于下层芯片减薄至100um，通孔直径为50um。