[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板，所述基板在背面具有多个外部端子，在表面具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子；

半导体芯片，所述半导体芯片搭载在所述基板的表面上，在所述半导体芯片的表面具有多个键合焊盘；

多个键合线，所述多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接；

第一密封层，所述第一密封层对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封；以及

第二密封层，所述第二密封层形成在所述第一密封层上，与所述第一密封层相比热传导率高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备散热板，所述散热板由粘接剂固定在所述第一密封层上，并由所述第二密封层包围。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述粘接剂的热传导率比所述第一密封层的热传导率高。

4.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板，所述基板在背面具有多个外部端子，在表面具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子；

半导体芯片，所述半导体芯片搭载在所述基板的表面上，并在所述半导体芯片的表面具有多个键合焊盘；

多个键合线，所述多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接；

第一密封层，所述第一密封层对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封；

散热板，所述散热板由粘接剂固定在所述第一密封层上；以及

第二密封层，所述第二密封层形成在所述第一密封层上，对所述散热板进行密封，并与所述第一密封层分别地形成。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

在基板上搭载半导体芯片，其中所述基板在背面上具有多个外部端子、在表面上具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子，所述半导体芯片在表面上具有多个键合焊盘，

用多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接，

形成对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封的第一密封层，

在所述第一密封层上形成比所述第一密封层的热传导率高的第二密封层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成了所述第一密封层之后，用粘接剂将散热板固定在所述第一密封层上，并在所述散热板上形成所述第二密封层。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

构成所述第一密封层的密封材料的密封时的粘性比构成所述第二密封层的密封材料的密封时的粘性低。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

在基板上搭载半导体芯片，其中所述基板在背面上具有多个外部端子、在表面上具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子，所述半导体芯片在表面上具有多个键合焊盘，

用多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接，

形成对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封的第一密封层，

利用粘接剂将散热板固定在所述第一密封层上，

在所述第一密封层以及所述散热板上形成第二密封层。

9.一种半导体装置，其特征在于，

具有：

基板，所述基板在背面具有多个外部端子，在表面具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子；

半导体芯片，所述半导体芯片搭载在所述基板的表面上，并在所述半导体芯片的表面具有多个键合焊盘；

多个键合线，所述多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接；

第一密封层，所述第一密封层对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封；以及

散热板，所述散热板由粘接剂固定在所述第一密封层上，并由第二密封层包围，

其中，所述第一密封层与所述第二密封层由相同的密封材料形成。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

在基板上搭载半导体芯片，其中所述基板在背面上具有多个外部端子、在表面上具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子，所述半导体芯片在表面上具有多个键合焊盘，

用多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接，

形成对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封的第一密封层，

利用粘接剂将散热板固定在所述第一密封层上，

在所述第一密封层以及所述散热板上形成第二密封层，所述第二密封层与所述第一密封层由相同的密封材料形成。