[发明专利]具有熔丝图案的半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年12月4日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0139679的优先权以及基于优先权产生的所有权益，在此通过引用方式将该申请的全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，更具体地涉及具有熔丝图案的半导体器件。

背景技术

一般来说，可以通过顺序地进行若干步骤来制造半导体器件，其中包括制造工序、电芯片测试（EDS）工序、装配工序和测试工序。在这些工序中，EDS通常包括：检查半导体芯片的前激光测试；用多余半导体芯片更换在前激光测试中被确认的故障半导体芯片的修复工序；以及检查更换的正常半导体芯片的后激光测试。

修复工序是通过切断熔丝来转换电信号路径的工序。在修复工序中，用多余单元更换不能正常操作的故障单元，或者用正常电路更换故障电路。修复工序通常包括：切断与故障单元连接的熔丝，然后用多余的正常单元更换故障单元。

发明内容

本公开提供了一种半导体器件，该半导体器件通过防止经修复工序切断的熔丝由于电化迁移而再次被电连接来提高可靠性。

在下面的各个实施例中将描述本公开的上述和其他目的，或者从下面的各个实施例的描述中将会清楚本公开的上述和其他目的。

根据一个实施例，一种半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上并且包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并且以第一宽度彼此间隔开；第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，并且包括形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的开口；绝缘材料，所述绝缘材料形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及空气间隙，所述空气间隙至少形成在所述第一熔丝图案与所述绝缘材料之间。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并且以第一宽度彼此间隔开；以及绝缘层，所述绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，并且包括形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的开口，其中，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案中的至少一者在所述绝缘层下面被底切。

根据其他实施例，一种半导体器件包括：衬底；熔丝的第一熔丝图案和熔丝的第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同的平面处，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开；以及绝缘图案，所述绝缘图案形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间并位于与所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案相同的平面处。所述绝缘图案包括由固体材料形成的至少第一部分、和不允许导电材料在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间进行电化迁移的至少第二部分。

附图说明

通过结合附图详细描述本公开的各个实施例，将会使本公开的上述和其他特征和优点变得更加清楚，在附图中：

图1是示出根据第一示例性实施例的半导体器件的视图；

图2是示出根据一个示例性实施例的图1所示的半导体器件在装配之后的视图；

图3是示出根据另一个示例性实施例的半导体器件的视图；

图4是根据一个示例性实施例的图3所示的半导体器件的俯视图；

图5是示出根据一个示例性实施例的图3所示的半导体器件在装配之后的视图；

图6是示出根据一个示例性实施例的图3所示的半导体器件还包括焊盘的视图；

图7是示出根据另一个示例性实施例的半导体器件的视图；

图8是示出根据一个示例性实施例的图7所示的半导体器件在装配之后的视图；

图9是示出根据另一个示例性实施例的半导体器件的视图；

图10是示出根据一个示例性实施例的图9所示的半导体器件在装配之后的视图；