[发明专利]具有熔丝图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及

第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，并且所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口不与所述第一熔丝图案或所述第二熔丝图案重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案彼此电绝缘。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括空气间隙，所述空气间隙形成在所述第一熔丝图案与所述绝缘材料之间，并且/或者形成在所述第二熔丝图案与所述绝缘材料之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述空气间隙包括第一空气间隙和第二空气间隙，所述第一空气间隙形成在所述第一熔丝图案与所述绝缘材料之间，所述第二空气间隙形成在所述第二熔丝图案与所述绝缘材料之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案下方的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层包括与所述开口重叠的沟槽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的导电颗粒。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括空气间隙，所述空气间隙形成在所述第一熔丝图案与所述导电颗粒之间，并且形成在所述第二熔丝图案与所述导电颗粒之间。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述导电颗粒包括所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案所含有的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述第一熔丝图案与所述开口之间的第一隔片。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括形成在所述第二熔丝图案与所述开口之间的第二隔片，其中，在所述第一隔片与所述第一熔丝图案之间形成第一空气间隙。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括形成在所述第二隔片与所述第二熔丝图案之间的第二空气间隙。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述开口的正上方不形成导电图案。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括分别形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案下方的第一金属配线和第二金属配线，所述第一金属配线通过第一通路与所述第一熔丝图案电连接，所述第二金属配线通过第二通路与所述第二熔丝图案电连接。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括与所述第一熔丝图案电连接的第一金属配线、和与所述第二熔丝图案电连接的第二金属配线，其中，所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案、所述第一金属配线和所述第二金属配线以相等的距离与所述衬底间隔开。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括分别形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案下方的第一电路图案和第二电路图案，所述第一熔丝图案与所述第一电路图案电连接，所述第二熔丝图案与所述第二电路图案电连接。

18.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开；

第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，并且所述第一绝缘层包括形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的开口；

绝缘材料，所述绝缘材料形成在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及

空气间隙，所述空气间隙至少形成在所述第一熔丝图案与所述绝缘材料之间。