[发明专利]存储器的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器的制造方法。

背景技术

一般来说，随着存储器的尺寸逐渐缩小，为了克服愈来愈小的线宽以及防止接触插塞发生对准失误(misalignment)，会采用自行对准接触插塞(self-aligned contact，SAC)工艺。

在自行对准接触插塞工艺中，栅极侧壁的厚度会影响形成于栅极之间的接触插塞的尺寸。存储器元件包括存储单元区与周边区，一般来说，会同时在存储单元区与周边区同时形成栅极。之后，会对栅极的侧壁进行蚀刻工艺，以便于随后接触插塞的形成。

然而，在一些存储器结构中，周边区会形成有金属硅化物于栅极、源极与漏极区上。若对栅极的侧壁进行蚀刻工艺，将会导致金属硅化物外露，进而影响存储器的电性特性。因此，在周边区的栅极和源极/漏极区上形成有金属硅化物的存储器结构中，无法对此栅极的间隙壁（侧壁）进行蚀刻，影响后续接触插塞的形成。故在进一步缩小存储器的尺寸时，会产生接触插塞的着陆区(landing area)受到压缩的问题。

因此，业界亟需一种可在不露出金属硅化物及不压缩接触插塞的着陆区的情况下缩小存储器的尺寸的存储器的制造方法，以克服上述问题。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种存储器的制造方法，使得在进一步缩小存储器尺寸时，不会产生接触插塞着陆区受到压缩的问题。

本发明提供一种存储器的制造方法，包括：提供基底，基底包括存储单元区与周边区；于存储单元区上形成多个第一栅极以及于周边区上形成至少一第二栅极；于基底上形成牺牲层，其中牺牲层覆盖第一栅极、第二栅极且填入第一栅极之间；于存储单元区的牺牲层上形成第一停止层；以第一停止层为掩膜(mask)进行蚀刻工艺，以移除周边区的牺牲层，进而暴露出周边区上的第二栅极；于基底上顺应性地形成第二停止层，第二停止层覆盖第一停止层、牺牲层的侧壁、与周边区上的第二栅极；于第二停止层上沉积介电材料；以存储单元区上的第一与第二停止层作为研磨停止层对介电材料进行平坦化工艺，以于周边区形成层间介电层；移除存储单元区上的第一停止层与第二停止层；以及在移除第一停止层与第二停止层之后，去除存储单元区上的牺牲层以于第一栅极之间形成多个第一接触开口。

本发明借由在存储单元区上形成厚的停止层作为研磨停止层，并在周边区上形成薄的停止层以作为蚀刻停止层，以同时在存储单元区与周边区上形成不同厚度的停止层。如此一来，在形成层间介电层于周边区时，厚的研磨停止层能保护存储单元区上的牺牲层不受层间介电层的研磨工艺影响而产生凹陷等问题，有利于后续形成接触插塞的工艺。并且，在形成接触开口的步骤中，薄的蚀刻停止层则可防止第二栅极的顶部、间隙壁与源极/漏极区受到破坏。如此一来，存储单元区与周边区的间隙壁皆具有完整的结构，并能在两相邻间隙壁之间形成自我对准接触窗，使存储器具有良好的元件特性。另外，由于在周边区的第二栅极和源极/漏极区上形成有金属硅化物的存储器结构中，无法对第二栅极的间隙壁进行蚀刻，影响后续接触的形成。因此，通过形成较薄的停止层更有助于控制第二栅极与接触插塞间的距离，以利后续接触插塞的形成，因此在进一步缩小存储器的尺寸时，不会产生接触插塞的着陆区(landing area)受到压缩的问题。

附图说明

图1A至图1O是根据本发明实施例的存储器的工艺剖面示意图。

符号说明：

100～存储器；

102～基底；

104～存储单元区；

106～周边区；

108～第一栅极；

110～第二栅极；

108a、110a～间隙壁；

112～牺牲层；

114、116～停止层；

118～介电材料；

120～层间介电层；

122～开口；

124～介电材料；

130、132～源极/漏极区；

140、142～接触开口；

140a、142a～接触插塞；

210、230、232～金属硅化物。

具体实施方式

以下说明本发明实施例的制作与使用。本发明实施例提供许多合适的发明概念而可广泛地实施于各种特定背景。所揭示的特定实施例仅仅用于说明以特定方法制作及使用本发明，并非用以局限本发明的范围。