[发明专利]存储器的制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基底，该基底包括一存储单元区与一周边区；

于该存储单元区上形成多个第一栅极以及于该周边区上形成至少一第二栅极；

于该基底上形成一牺牲层，其中该牺牲层覆盖所述第一栅极、所述第二栅极且填入所述第一栅极之间；

于存储单元区的该牺牲层上形成一第一停止层；

以该第一停止层为掩膜进行一蚀刻工艺，以移除周边区的该牺牲层，进而暴露出该周边区上的该第二栅极；

于该基底上顺应性地形成一第二停止层，该第二停止层覆盖该第一停止层、该牺牲层的侧壁、与该周边区上的该第二栅极；

于该第二停止层上沉积一介电材料；

以该存储单元区上的该第一与第二停止层作为研磨停止层对该介电材料进行一平坦化工艺，以于该周边区形成一层间介电层；

移除存储单元区上的该第一停止层与该第二停止层；以及

在移除该第一停止层与该第二停止层之后，去除该存储单元区上的该牺牲层以于所述第一栅极之间形成多个第一接触开口。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，该第一停止层与该牺牲层的厚度比为约1:5～1:10。

3.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，该存储单元区上的该第一与第二停止层的总厚度为20nm～100nm。

4.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，该牺牲层包括二氧化硅或多晶硅。

5.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，该层间介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或低介电常数材料。

6.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，第一与第二停止层的厚度比为3:1～3:9。

7.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一接触开口之后，还包括：

于该层间介电层中形成多个第二接触开口。

8.如权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

于所述第一开口中形成多个第一接触插塞；以及

于所述第二开口中形成多个第二接触插塞。

9.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，该第一停止层包括氮化硅、氮氧化硅或前述的组合。

10.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，该第二停止层包括氮化硅、氮氧化硅或前述的组合。

11.如权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成一源极区与一漏极区于基底的周边区中且位于该第二栅极两侧。

12.如权利要求11所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第二接触插塞分别形成于该第二栅极、该源极区、与该漏极区上。

13.如权利要求12所述的存储器的制造方法，其特征在于，该周边区还包括多个金属硅化物，分别形成于该第二栅极、该源极区、与该漏极区上，且所述第二接触插塞位于所述金属硅化物上。