[发明专利]一种制备空气间隙铜互连结构的方法

权利要求书

1.一种制备空气隙铜互连结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S11：依次在半导体衬底上生长第三低介电常数和第二低介电常数材料层，然后，对所述两层低介电常数的材料层进行沟槽刻蚀工艺，所述沟槽的底部位于所述衬底中；

步骤S12：在所述刻蚀有沟槽的表面上，进行扩散阻挡层和铜电镀工艺，然后，通过化学机械研磨工艺抛光表面；

步骤S13：通过氧气的灰化工艺以及湿法刻蚀去除所述第二低介电常数的材料，以暴露出铜互连线表面；

步骤S14：在所述铜互连线表面上生长一层第三低介电常数的材料层；其中，所述第三低介电常数大于第二低介电常数的值；

步骤S15：在所述第三低介电常数的材料层上重新生长所述第二低介电常数的材料层，以覆盖所述第三低介电常数的材料层，且在所述铜互连线之间形成空气间隙。

2.根据权利要求1所述的制备空气隙铜互连结构的方法，其特征在于，在所述步骤S15后还包括：

步骤S16：在所述第二低介电常数的材料层重长一层第一低介电常数的材料层，以消除所述第二低介电常数的材料层表面的台阶差；其中，所述第二低介电常数大于等于第一低介电常数的值。

3.根据权利要求2所述的制备空气隙铜互连结构的方法，其特征在于，所述第二低介电常数大于第一低介电常数的值。