[发明专利]一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂及使用方法在审

专利信息
申请号: 201310635957.9 申请日: 2013-12-03
公开(公告)号: CN103614249A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 张丽娟;章圆圆;王文鹏 申请(专利权)人: 常州时创能源科技有限公司
主分类号: C11D1/72 分类号: C11D1/72;C11D3/60;C11D10/02;C30B33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213300 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 多晶 硅片 酸制绒后 清洗 添加剂 使用方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂及使用方法,属于多晶硅太阳能电池技术领域。

背景技术

在光伏行业发展过程中,多晶硅太阳电池越来越受到人们的重视,原因是多晶电池在保持低廉的价格的同时,其效率得到了显著的提升,其单位能耗比和性价比都明显优于单晶电池,因此,目前多晶电池的市场份额已远远超过了单晶电池。

多晶电池普遍采用硝酸和氢氟酸的混合酸进行制绒,一般制绒后硅片反射率普遍高于22%,甚至达到24%。降低硅片的反射率是提高多晶电池效率最为可行的方法之一。采用多晶制绒添加剂进行优化制绒,不仅可以将反射率降低至18%以下,提升电池短路电流达到50mA以上,而且能够显著提高绒面的均匀度,为后续工艺的优化和效率提升提供条件。但由于多晶添加剂的使用,经常使得硅片表面因有机物的残留而呈现亲水状态,导致硅片吹干困难,也容易引入金属污染,降低少子寿命,导致电池的并联电阻和开路电压下降。这样,最终结果是在反射率降低、短路电流提升的情况下,却因开路电压有所降低,导致电池片的转换效率效率提升有限,甚至反而下降。同时,由于使用制绒添加剂而形成的绒面内部的多孔硅结构,如果不经过适当的处理,将会显著影响后续的扩散、镀膜等工艺,导致不合格率提高,效率也会下降。总而言之,多晶添加剂的使用,对反射率的降低和绒面均匀性的提升这两方面有积极意义,但也会导致硅片表面污染和绒面内部产生多孔硅的这两项负作用,如何将正面作用发挥出来,而将负面影响消除,将成为多晶添加剂提升多晶电池的关键。

本发明中所用添加剂均为非离子型表面活性剂,按照一定配比复配后很好的溶解在水中,在机械、涂料以及化工行业中均有良好的应用,如:食品和化妆品生产中作乳化剂;油漆、涂料工业中作分散剂;钛白粉生产中作稳定剂;农药生产中作杀虫剂、润湿剂、乳化剂;石油制品中作助溶剂; 用于纺织和皮革的润滑剂和柔软剂等。

发明内容  

针对上述问题,本发明提供一种用于多晶硅片碱清洗添加剂及其使用方法,能够解决硅片表面的清洗问题,使得多晶制绒添加剂在降低硅片反射率的同时,能够提升电池片转换效率。

在添加多晶制绒添加剂的制绒工艺下,硅片绒面的虫洞内部有细小的多孔硅结构产生,而多孔硅表面由于有机物的吸附作用,使得常规碱溶液清洗的效果大大降低,无法去除有机物的残留,也很难将多孔硅清洗干净。碱清洗后,硅片表面仍然有有机物残留,使得制绒后的硅片吹干比较困难,容易引入金属污染;同时多孔硅对扩散和氮化硅镀膜等工艺环节都有影响,导致并联电阻和开路电压的降低,影响效率提升,而本发明则能够很好地解决了这个问题。

通过本发明的碱清洗添加剂的使用,改变硅片表面状态为疏水,从而避免亲水状态而引入的有机物污染;而且本添加剂能够帮助碱清洗溶液对多孔硅的清洗达到更好的效果,达到比较清洁的硅片表面状态,从而保证了转换效率的提升。

为实现上述目的,本发明提供一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂,其组分包括:司班-80、吐温-40、十二烷基聚乙二醇醚和余量的水。

优选的,所述碱清洗添加剂中各组分的质量百分含量为:司班-80为0.1%~0.5%,吐温-40为0.6%~2.5%,十二烷基聚乙二醇醚为0.3%~1.5%,余量为水。

优选的,所述水为去离子水。

本发明还提供一种用于多晶硅片碱清洗的清洗液,其含有碱溶液和上述碱清洗添加剂,所述碱清洗添加剂与碱溶液的质量比为0.2~2:100,所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。

优选的,所述碱溶液为3~10wt%的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。

本发明还提供一种多晶硅片的碱清洗方法,利用上述碱清洗液对多晶硅片进行表面碱清洗。

优选的,所述表面碱清洗的碱清洗温度为25~45℃,碱清洗时间为10~30s。

上述多晶硅片的碱清洗方法的具体步骤包括:

1)配置碱清洗添加剂:将质量百分比为0.1%~0.5%的司班-80、0.6%~2.5%的吐温-40、0.3%~1.5%的十二烷基聚乙二醇醚加入到余量的水中,混合均匀配成碱清洗添加剂;

2)配置碱清洗液:将步骤1)制成的碱清洗添加剂加到碱溶液中,混合均匀配成碱清洗液;所述碱清洗添加剂与碱溶液的质量比为0.2~2:100;所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液,优选为3~10%的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液;

3)将酸制绒后的多晶硅片浸入步骤2)制得的碱清洗液中进行表面碱清洗,碱清洗温度为25~45℃,碱清洗时间为10~30s。

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