[发明专利]一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂及使用方法

权利要求书

1.一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂，其特征在于，其组分包括：司班-80、吐温-40、十二烷基聚乙二醇醚和余量的水。

2.根据权利要求1所述的用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂，其特征在于，所述碱清洗添加剂中各组分的质量百分含量为：司班-80为0.1%～0.5%，吐温-40为0.6%～2.5%，十二烷基聚乙二醇醚为0.3%～1.5%，余量为水。

3.根据权利要求1或2所述的用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂，其特征在于，所述水为去离子水。

4.用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗液，其特征在于：其含有碱溶液和权利要求1-3中任意一项的用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂，所述碱清洗添加剂与碱溶液的质量比为0.2～2:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。

5.根据权利要求4所述的用于多晶硅片的碱清洗液，其特征在于：所述碱溶液为3～10wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。

6.根据权利要求4或5所述的多晶硅片的碱清洗方法，其特征在于：利用所述清洗液对多晶硅片进行表面清洗。

7.根据权利要求6所述的多晶硅片的碱清洗方法，其特征在于：所述表面碱清洗的碱清洗温度为25～45℃，清洗时间为10～30s。

8.根据权利要求7所述多晶硅片的碱清洗方法，其特征在于：其具体步骤包括：

1）配置碱清洗添加剂：将质量百分比为0.1%～0.5%的司班-80、0.6%～2.5%的吐温-40、0.3%～1.5%的十二烷基聚乙二醇醚加入到余量的水中，混合均匀配成碱清洗添加剂；

2）配置碱清洗液：将步骤1）制成的碱清洗添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成碱清洗液；所述碱清洗添加剂与碱溶液的质量比为0.2～2:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；

3）将酸制绒后的多晶硅片浸入步骤2）制得的碱清洗液中进行表面碱清洗，碱清洗温度为25～45℃，碱清洗时间为10～30s。