[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阴极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阴极与基板之间插入散射层。

高性能的器件，还要求阴极有较低的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种功函数较低的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。

一种导电薄膜，包括层叠的TiO_2-xF_x层及Me₂O层，其中，TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的薄膜层，Me₂O层为氧化钠，氧化钾，氧化铷或氧化铯的薄膜层，其中，x为0.1～0.6。

所述TiO_2-xF_x层为纳米线结构，纳米直径为20～200nm。

所述TiO_2-xF_x层的厚度为80nm～400nm，所述Me₂O层的厚度为0.5nm～10nm。

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将TiO_2-xF_x靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的靶材，其中，x为0.1～0.6；

在所述衬底表面沉积TiO_2-xF_x层，沉积所述TiO_2-xF_x层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，脉冲激光能量为80mJ～300mJ，工作压强3Pa～30Pa，惰性工作气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃，得到TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的薄膜层，x为0.1～0.6；

在所述TiO_2-xF_x层表面蒸镀Me₂O层，蒸镀所述Me₂O层的工艺参数为：采用Me₂CO₃的材料在压强5.0×10^-3Pa～5.0×10^-4Pa，温度为600℃～800℃，蒸镀速率为0.3nm/s～5nm/s的条件下进行蒸镀，其中，Me₂CO₃的材料为碳酸钠，碳酸钾，碳酸铷，碳酸铷和碳酸铯中至少一种，得到Me₂O层为氧化钠，氧化钾，氧化铷或氧化铯的薄膜层；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

所述TiO_2-xF_x层的厚度为80nm～400nm，所述Me₂O层的厚度为0.5nm～10nm。

所述TiO_2-xF_x靶材由以下步骤得到：称取TiO₂和TiF₄粉体混合均匀得到混合物，其中，TiF₄占混合物的摩尔百分数为2.6%～17.6%，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。

一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、TiO_2-xF_x层及Me₂O层，其中，TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的薄膜层，Me₂O层为氧化钠，氧化钾，氧化铷或氧化铯的薄膜层，其中，x为0.1～0.6。