[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的TiO_2-xF_x层及Me₂O层，其中，TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的薄膜层，Me₂O层为氧化钠，氧化钾，氧化铷或氧化铯的薄膜层，其中，x为0.1～0.6。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述TiO_2-xF_x层为纳米线结构，纳米直径为20～200nm。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述TiO_2-xF_x层的厚度为80nm～400nm，所述Me₂O层的厚度为0.5nm～10nm。

4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将TiO_2-xF_x靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的靶材，其中，x为0.1～0.6；

在所述衬底表面沉积TiO_2-xF_x层，沉积所述TiO_2-xF_x层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，脉冲激光能量为80mJ～300mJ，工作压强3Pa～30Pa，惰性工作气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃，得到TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的薄膜层，x为0.1～0.6；

在所述TiO_2-xF_x层表面蒸镀Me₂O层，蒸镀所述Me₂O层的工艺参数为：采用Me₂CO₃的材料在压强5.0×10^-3Pa～5.0×10^-4Pa，温度为600℃～800℃，蒸镀速率为0.3nm/s～5nm/s的条件下进行蒸镀，其中，Me₂CO₃的材料为碳酸钠，碳酸钾，碳酸铷，碳酸铷和碳酸铯中至少一种，得到Me₂O层为氧化钠，氧化钾，氧化铷或氧化铯的薄膜层；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述TiO_2-xF_x层的厚度为80nm～400nm，所述Me₂O层的厚度为0.5nm～10nm。

6.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述TiO_2-xF_x靶材由以下步骤得到：称取TiO₂和TiF₄粉体混合均匀得到混合物，其中，TiF₄占混合物的摩尔百分数为2.6%～17.6%，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。

7.一种有机电致发光器件的基板，其特征在于，包括依次层叠的衬底、TiO_2-xF_x层及Me₂O层，其中，TiO_2-xF_x层是氟掺杂氧化钛的薄膜层，Me₂O层为氧化钠，氧化钾，氧化铷或氧化铯的薄膜层，其中，x为0.1～0.6。