[发明专利]包括翼片和漏极延伸区的半导体器件和制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的领域，并且具体地涉及一种包括翼片和漏极延伸区的半导体器件和制造方法。

背景技术

在用于例如汽车和工业应用中的功率晶体管器件的发展中的一个目标是提供高阻断电压和低导通状态电阻。横向晶体管结构具有可以通过缩放漂移区来调节阻断电压的优点。希望发展提供高阻断电压和低导通状态电阻的设计构思。

发明内容

根据实施例，半导体器件包括在半导体主体的第一侧的翼片。半导体器件进一步包括在翼片的至少部分中的第二传导类型的主体区。半导体器件进一步包括第一传导类型的漏极延伸区、第一传导类型的源极区和漏极区、和邻接翼片的相对壁的栅极结构。主体区和漏极延伸区接连地布置在源极区和漏极区之间。

根据另一个实施例，提供了制造半导体器件的实施例的方法。该方法包括在半导体主体的第一侧形成翼片。在翼片的至少部分内形成第二传导类型的主体区。该方法进一步包括形成第一传导类型的漏极延伸区、形成第一传导类型的源极和漏极区、以及形成邻接翼片的相对壁的栅极结构。主体区和漏极延伸区接连地布置在源极区和漏极区之间。

本领域技术人员在阅读后面的详细描述以及观看附图时将意识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对本发明进一步的理解，并且合并到说明书中以及构成说明书的部分。附图图示了本发明的实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。本发明的其它实施例和许多预期的优点将容易地被理解，因为通过参考后面的详细描述它们变得更好理解。附图的元件不一定相对彼此成比例。相同的参考数字指定对应的类似部分。

图1图示了包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的一个实施例。

图2A到2D图示了包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的一个实施例的不同视图，其中深主体区用作电荷补偿区。

图3A图示了包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的一个实施例，其中漏极延伸区主要形成在翼片外侧。

图3B图示了包括并联连接的晶体管单元的半导体器件的一个实施例的并联连接，该晶体管单元包括翼片和漏极延伸区，其中漏极延伸区主要形成在翼片外侧。

图4图示了包括翼片、漏极延伸区和掩埋电介质的半导体器件的一个实施例。

图5A和5B图示了根据包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的实施例的栅极结构和沟道区。

图6图示了包括翼片和漏极延伸区的集成电路的一个实施例。

图7图示了制造包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的工艺流程的一个实施例。

图8图示了制造包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的主体区的工艺流程的一个实施例。

图9图示了制造包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的源极和漏极区的工艺流程的一个实施例。

图10A到10E图示了制造包括翼片和漏极延伸区的半导体器件的方法的一个实施例的横截面视图和三维视图。

具体实施方式

在后面的详细描述中参考附图，附图形成本详细描述的一部分并且在附图中通过图示的方式示出本发明可以在其中实践的具体实施例。要理解，在不脱离本发明范围的情况下可以利用其它实施例并且可以做出结构和逻辑的改变。例如针对一个实施例图示或描述的特征可以用在其它实施例上或与其它实施例联合使用以产生再进一步的实施例。本发明意图包括这样的修改和变化。使用具体语言描述了示例，具体的语言不应当解释为限制所附权利要求的范围。附图不是按比例的并且仅出于说明的目的。为了清楚，如果没有另外陈述，在不同附图中对应的元件已由相同的参考指定。

术语“具有”、“包含”、“包括”、“含有”等是开放的并且这些术语指示所述结构、元件或特征的存在但不排除附加的元件或特征。

术语“接连地”、“陆续地”等指示元件的宽松排序，不排除附加的元件放入有序的元件之间。

冠词“一”、“一个”、和“该”意图包括复数以及单数，除非上下文另外清楚地指示。