[发明专利]包括翼片和漏极延伸区的半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体主体的第一侧的翼片；

在翼片的至少部分中的第二传导类型的主体区；

第一传导类型的漏极延伸区；

第一传导类型的源极区和漏极区；和

邻接翼片的相对壁的栅极结构；

其中主体区和漏极延伸区接连地布置在源极区和漏极区之间。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中漏极延伸区具有在0.5μm和100μm之间的横向尺寸。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中漏极延伸区的最大掺杂剂浓度小于10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中翼片包括漏极延伸区的至少部分。

5.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括在翼片的顶面处的邻接漏极延伸区的浅沟槽隔离。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中栅极结构邻接翼片的顶面。

7.根据权利要求1的半导体器件，其中主体区包括邻接翼片的第一侧壁的第一沟道部分，并且其中主体区的第一沟道部分中的掺杂浓度沿垂直于半导体主体的第一侧的垂直方向的最大相对变化小于20%。

8.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括邻接漏极延伸区的底侧的第二传导类型的深主体区，其中深主体区电连接到主体区。

9.根据权利要求8的半导体器件，其中深主体区的最大掺杂剂浓度是10¹⁸cm^-3。

10.根据权利要求8的半导体器件，其中半导体主体包括陆续地沿垂直于半导体主体的第一侧的线布置的漏极延伸区、深主体区、第一传导类型的第一半导体层、和包括高于第一半导体层的掺杂浓度的第一传导类型的第二半导体层。

11.根据权利要求8的半导体器件，其中半导体主体包括陆续地沿垂直于半导体主体的第一侧的线布置的漏极延伸区、深主体区、第二传导类型的第一半导体层、和包括高于第一半导体层的掺杂浓度的第一传导类型的第二半导体层。

12.根据权利要求8的半导体器件，其中半导体主体包括陆续地沿垂直于半导体主体的第一侧的线布置的漏极延伸区、深主体区、和掩埋氧化硅层。

13.根据权利要求1的半导体器件，其中半导体主体包括在n掺杂半导体衬底上的p掺杂半导体层、在p掺杂半导体衬底上的n掺杂半导体层、和绝缘体上硅衬底中的一个。

14.根据权利要求1的半导体器件，其中

第一接触沟槽从半导体主体的第一侧延伸到源极区中；

第二接触沟槽从半导体主体的第一侧延伸到漏极区中；

源极区和漏极区包括邻接第一和第二接触沟槽的侧壁和底侧的第一传导类型的高掺杂硅；并且其中

用第一和第二传导材料填充第一和第二接触沟槽。

15.根据权利要求1的半导体器件，其中

第一接触沟槽从半导体主体的第一侧延伸到源极区中；

第二接触沟槽从半导体主体的第一侧延伸到漏极区中；并且其中

第一和第二接触沟槽中的一个延伸通过源极和漏极区中的相应的一个。

16.一种包括权利要求1的半导体器件的集成电路。

17.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体主体的第一侧形成翼片；

在翼片的至少部分中形成第二传导类型的主体区；

形成第一传导类型的漏极延伸区；

形成第一传导类型的源极区和漏极区；以及

形成邻接翼片的相对壁的栅极结构，

其中，主体区和漏极延伸区接连地布置在源极区和漏极区之间。

18.根据权利要求17的方法，进一步包括在翼片的顶面上形成栅极结构。

19.根据权利要求17的方法，其中漏极延伸区至少部分地形成在翼片中。

20.根据权利要求17的方法，进一步包括：

在半导体衬底中形成掩埋层；以及

在掩埋层上形成掺杂的半导体层。

21.根据权利要求17的方法，进一步包括在翼片的顶上形成邻接漏极延伸区的浅沟槽隔离。