[发明专利]铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料技术领域，尤其涉及铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法。本发明还涉及应用所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的电致发光器件。

背景技术

薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。

氯硼酸盐类发光材料发光材料是作为LED荧光粉的热门研究材料。紫外激发蓝色荧光粉已经可以作为商用的产品，并在不断的改善研发中。但是，用铕铋共掺杂三族锑硅酸盐类发光材料制备成电致发光的薄膜，仍未见报道。

发明内容

本发明目的在于提供一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜。

针对上述发明目的，本发明提出一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，其化学通式为MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺；其中：

MeSbAl₂O₇为基质，Eu³⁺和Bi³⁺为激活元素；

x的取值范围为0.005～0.05，优选为0.03；

y的取值范围为0.005～0.03，优选为0.01；

Me为Ga、In或Tl。

本发明的另一发明目的在于提供铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的制备方法。

针对上述发明目的，本发明提出一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的制备方法，其步骤如下：

（a）按照摩尔比1：1：2：x：y，分别称取Me₂O₃、Sb₂O₅、Al₂O₃、Eu₂O₃和Bi₂O₃粉体，经过混合均匀后，在900～1300℃，优选为1250℃下烧结，制成靶材；其中：x的取值范围为0.005～0.05，优选为0.03；y的取值范围为0.005～0.03，优选为0.01；Me为Ga、In或Tl；所述靶材优选为铟锡氧化物导电玻璃，所述靶材的直径优选为50mm、厚度优选为2mm。

（b）将步骤（a）中得到的靶材装入磁控溅射设备的真空腔体内，再把衬底装入所述真空腔体内，并将所述真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间，优选为5.0×10^-4Pa。

（c）磁控溅射设备的工艺参数为：所述靶材与所述衬底之间的距离为45～95mm，，优选为60mm；所述衬底的温度为250℃～750℃，优选为500℃；所述磁控溅射设备的工作气体为氩气，所述氩气的流量为10～35sccm，优选25sccm，压强为0.2～4Pa，优选为2Pa；通过所述磁控溅射设备和所述靶材在所述衬底进行镀膜，得到所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的初成品。

（d）将步骤（c）制得的所述初成品于500℃～800℃，优选为600℃下真空退火处理1～3h，优选为2h，得到所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜；所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺，其中，MeSbAl₂O₇是基质，Eu³⁺和Bi³⁺离子为激活元素；

本发明的又一发明目的在于提供一种电致发光器件。

针对上述目的，本发明提出一种电致发光器件，其为复合层状结构，所述复合层状结构依次为玻璃基片、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层为上述的铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，所述阴极层为银层。

本发明所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜在480nm和580nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。

附图说明

图1为本发明电致发光器件的结构示意图。

图2为实施例1制得铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱。

图3为实施例1制得铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的XRD曲线。