[发明专利]铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学通式为MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺；其中：

MeSbAl₂O₇为基质，Eu³⁺和Bi³⁺为激活元素；

x的取值范围为0.005~0.05，y的取值范围为0.005~0.03；

Me为Ga、In或Tl。

2.如权利要求1所述的铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，其特征在于，x取值为0.03，y取值为0.01。

3.一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（a）按照摩尔比1：1：2：x：y，分别称取Me₂O₃、Sb₂O₅、Al₂O₃、Eu₂O₃和Bi₂O₃粉体，经过混合均匀后，在900~1300℃下烧结，制成靶材；

（b）将步骤（a）中得到的靶材装入磁控溅射设备的真空腔体内，再把衬底装入所述真空腔体内，并将所述真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa~ 1.0×10^-5Pa之间；

（c）磁控溅射设备的工艺参数为：所述靶材与所述衬底之间的距离为45~95mm，所述衬底的温度为250℃~750℃；所述磁控溅射设备的工作气体为氩气，所述氩气的流量为10~35sccm，压强为0.2~4Pa；通过所述磁控溅射设备和所述靶材在所述衬底进行镀膜，得到化学通式为MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺的所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜；其中，MeSbAl₂O₇是基质，Eu³⁺和Bi³⁺为激活元素；x的取值范围为0.005~0.05，y的取值范围为0.005~0.03；Me为Ga、In或Tl。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（c）制得的所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜是经过真空退火处理后而制得的，所述真空退火处理温度为500℃~800℃，时间为1~3h。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤（c）中，所述靶材与所述衬底之间的距离为60mm，所述衬底的温度为500℃。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤（c）中，所述磁控溅射设备的工作气体为25sccm流量的氩气，所述氩气为2Pa。

7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤（a）和（c）中，x取值均为0.03，y取值均为0.01。

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述真空退火处理温度为600℃，时间为2h。

9.一种电致发光器件，其为复合层状结构，所述复合层状结构依次为玻璃基片、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层为铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSbAl₂O₇：xEu³⁺,yBi³⁺；其中：

MeSbAl₂O₇是基质，Eu³⁺和Bi³⁺为激活元素；

x的取值范围为0.005~0.05，y的取值范围为0.005~0.03；

Me为Ga、In或Tl。

10.如权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，x取值均为0.03，y取值均为0.01。