[发明专利]包括在有源鳍之间的突出绝缘部分的半导体器件

说明书

技术领域

本发明构思涉及半导体领域，更具体地，涉及包括多沟道有源鳍的半导体器件。

背景技术

已经提供了包括在基板上的鳍形或纳米线形多沟道有源图案（或硅本体）和在多沟道有源图案的表面上的栅极的多栅极晶体管结构。

由于多栅极晶体管可以采用三维沟道，所以可以比其他方法更容易地实现微缩（scaling）。此外，控制电流的能力也可以改善而不必增加多栅极晶体管中的栅极的长度。此外，可以更有效地解决短沟道效应，在短沟道效应中，沟道区的电势受到漏电压的影响。

发明内容

根据发明构思的实施方式可以提供包括在有源鳍之间的突出绝缘部分的半导体器件。按照这些实施方式，半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分。第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。

附图说明

通过参考附图详细描述优选的实施方式，本发明构思的上述及其他特征和优点将变得更加明显，附图中：

图1和图2是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的布局图和透视图；

图3是示出在根据图1和2示出的本发明构思的一些实施方式的半导体器件中的多沟道有源图案和场绝缘层的局部透视图；

图4是沿图1和图2的线A-A所取的截面图；

图5是沿图1和图2的线B-B所取的截面图；

图6是示出图1和图2的区域C的透视图；

图7是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件对比常规布置的截面视图；

图8A是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图8B是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图8C是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图8D是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图9A是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的透视图，图9B是沿图9A的线B-B所取的截面图；

图10A是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的透视图；

图10B是示出图10A所示的半导体器件的多沟道有源图案和场绝缘层的局部透视图；

图11是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图12是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图13是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图14A是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的框图；

图14B是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的框图；

图15A是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的透视图；

图15B是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图；

图16至24示出根据图1-6的半导体器件的形成方法；

图25A和25B示出形成图8A的半导体器件的方法所提供的中间结构；

图26是包括根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的电子系统的框图；以及

图27A和27B示出示范半导体系统，其中可以采用根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件。

具体实施方式

现在将在下文参考附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出了本发明构思的示范实施方式。通过以下将参考附图更具体地描述的示范实施方式，本发明构思的优点和特征以及实现它们的方法将会明显。然而，应当指出，本发明构思不限于以下示范实施方式，而可以以各种形式实施。因此，提供示范实施方式仅为了公开本发明构思和让本领域技术人员知道本发明构思的类别。在附图中，本发明构思的实施方式不限于在此提供的特定示例，并为了清晰而被夸大。

在此使用的术语仅仅是为了描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本发明。如在此所用的，单数术语“一”和“该”旨在也包括复数术语，除非上下文清楚地另有指示。如在此所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何及所有组合。将理解，当一元件被称为“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接连接到或耦接到另一元件，或者可以存在居间元件。