[发明专利]包括在有源鳍之间的突出绝缘部分的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

场绝缘层，包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和在垂直于所述第一和第二正交方向的第三方向上从所述平面主表面突出的突出部分；

第一和第二多沟道有源鳍，在所述场绝缘层上沿所述第二正交方向延伸并通过所述突出部分彼此分离，以使得所述突出部分形成在所述第一和第二多沟道有源鳍之间的在所述第二正交方向上的间隙中；和

导电层，从所述突出部分的最上表面延伸以横跨位于所述第一和第二多沟道有源鳍之间的所述突出部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述突出部分从所述平面主表面突出的距离大于在第一和第二多沟道有源鳍上的相应的栅极之下的所述第一和第二多沟道有源鳍的最上表面的高度。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极，在直接邻近于所述突出部分的所述第一多沟道有源鳍中，所述第一源极/漏极包括在所述突出部分的所述最上表面之下的最上表面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述突出部分从所述平面主表面突出的距离等于在所述第一和第二多沟道有源鳍上的相应的栅极之下的所述第一和第二多沟道有源鳍的最上表面的高度。

5.如权利要求4所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极，在直接邻近于所述突出部分的所述第一多沟道有源鳍中，所述第一源极/漏极包括在所述突出部分的所述最上表面之上的最上表面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述导电层上的侧壁间隔物；和

在所述突出部分的所述最上表面与所述导电层之间的非平面的栅绝缘层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层被包括在虚设栅极中。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层被包括在有源栅极中。

9.一种半导体器件，包括：

场绝缘层，包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和在垂直于所述第一和第二正交方向的第三方向上从所述平面主表面突出的突出部分；

第一和第二多沟道有源鳍，在所述场绝缘层上延伸并通过所述突出部分彼此分离；

导电层，从所述突出部分的最上表面延伸以横跨位于所述第一和第二多沟道有源鳍之间的所述突出部分；

在所述导电层与所述突出部分之间的非平面的绝缘层；和

有源栅极，交叉所述第一多沟道有源鳍。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述导电层被包括在虚设栅极中，所述虚设栅极位于所述导电层交叉所述突出部分的位置。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述突出部分从所述平面主表面突出的距离大于在所述有源栅极和所述导电层之下的所述第一和第二多沟道有源鳍的最上表面的高度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极，在直接邻近于所述突出部分的所述第一多沟道有源鳍中，所述第一源极/漏极包括在所述突出部分的所述最上表面之下的最上表面。

13.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述突出部分从所述平面主表面突出的距离等于在所述有源栅极和所述导电层之下的所述第一和第二多沟道有源鳍的最上表面的高度。

14.如权利要求13所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极，在直接邻近于所述突出部分的所述第一多沟道有源鳍中，所述第一源极/漏极包括在所述突出部分的所述最上表面之上的最上表面。

15.一种半导体器件，包括：

绝缘层，包括主表面和从所述主表面突出的突出部分；

第一和第二多沟道有源鳍，彼此直接相邻并通过所述突出部分彼此分离；

有源栅极结构，在所述第一多沟道有源鳍上；

导电层，从所述突出部分的最上表面延伸以横跨位于所述第一和第二多沟道有源鳍之间的所述突出部分；

有源栅极结构侧壁间隔物，包括在所述有源栅极结构中，所述有源栅极结构侧壁间隔物具有第一高度；和

导电层侧壁间隔物，在所述导电层上，所述导电层侧壁间隔物具有小于所述第一高度的第二高度。