[发明专利]一种CIGS太阳能电池吸收层的生产设备有效
申请号: | 201310627390.0 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103594562A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 伍祥武;陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 | 申请(专利权)人: | 柳州百韧特先进材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人: | 姚迎新 |
地址: | 545006 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cigs 太阳能电池 吸收 生产 设备 | ||
技术领域
本发明涉及CIGS太阳能电池吸收层的生产,具体说是吸收层的生产设备。
背景技术
太阳能电池是一种将太阳能转换为电能的装置,其中CIGS(铜铟镓硒) 薄膜被看作是所有薄膜太阳电池技术中最有希望实现低价、高效、性能稳定的光伏材料。吸收层铜铟镓硒薄膜是CIGS 太阳能电池的核心部分,吸收层的制备方法如多元共蒸法和磁控溅射后硒化法。虽然这些真空沉积技术能够制备出转换效率高的CIGS 薄膜电池,但是精密的真空设备需要很大的设备投资,生产周期长,这使得电池的生产成本较高。用于硒化处理的装置称为硒化炉,现有的硒化炉都是基于玻璃衬底CIGS 太阳能电池分批式封闭热处理炉。在该方案中,数片表面沉积有前驱膜的衬底分层置于硒化炉中,然后在低于1℃ /s 升温速率下加热到450 ~ 600℃在H2Se 或Se 气氛中反应30 分钟到数小时之间。该分批式封闭硒化炉的问题是,每批次都要经过抽真空、加热、保温、降温过程,周期长、能耗大,对于提高生产效率降低生产成本不利。
目前CIGS太阳能电池吸收层的生产设备,一方面由于设备设计不合理、空气排出不够彻底,导致吸收层的硒化效果不够好;另一方面由于在硒蒸气部分提供的硒蒸气活性较低,也影响了硒化效果,导致吸收层的质量下降,且目前的设备无法进行大规模连续生产。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种硒蒸气活性较高、空气排出较彻底的CIGS太阳能电池吸收层的生产设备。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种CIGS太阳能电池吸收层的生产设备,包括输送吸收层衬底至腔体内的输送带,四对上、下隔板将腔体分隔成预热段、硒化段和冷却段,预热段内安装有加热装置,硒化段连接有硒蒸气产生装置,硒蒸气产生装置通过喷射装置向移动的衬底喷射硒蒸气,硒化段上安装有温控装置,在硒化段两端的上隔板或下隔板上分别开具有惰性气体进气孔和排气孔,冷却段内设有冷却水套。
作为优选,所述加热装置为红外灯、卤素灯或感应线圈。
作为优选,硒蒸气产生装置包括放置硒源的料桶,料桶内设有将硒源加热成蒸汽的加热丝,料桶的蒸汽出口连通一裂解室,该裂解室内通有惰性气体,惰性气体通过两电极生成等离子带电体,硒蒸汽通过等离子带电体裂解后进入所述喷射装置。
作为优选,所述预热段与硒化段、硒化段与冷却段均呈台梯状,所述进气孔和排气孔分别设置于两台阶面上。
作为优选,所述硒化段通过两对上、下挡板分隔为喷涂区、反应区和进气区,上、下挡板之间留有供输送带移动的间隙,喷涂区内安装有所述喷射装置;在喷涂区与反应区之间、反应区和进气区之间的上挡板或下挡板上均设有气体通孔。
作为优选,所述进气孔、通孔、排气孔交错排列。
作为优选,所述进气孔设置于冷却段与硒化段之间的下挡板上。
作为优选,所述喷射装置包括数个喷嘴,数个喷嘴分布成与输送带运动方向垂直的一列。
作为优选,所述喷射装置包括一硒蒸气管,该硒蒸气管上开具有至少一排喷射孔,每一排喷射孔与输送带运动方向垂直。
本发明与现有技术相比具有如下优点:
1、本发明通过预热段、硒化段和冷却段对衬底进行连续处理,保证了吸收层的质量。
2、采用等离子带电体对硒蒸气进行裂解,提高了硒的活性,将高活性的硒蒸气喷射在衬底上,提高了硒化效果。
3、向匀速移动的衬底喷射硒蒸气的方式,喷涂均匀,进一步提高硒化效果。
4、在硒化段合理设计进气孔和排气孔,保证硒化段的空气排出较为彻底,为硒化反应提供了坚实的基础。
附图说明
图1是本发明优选方式的结构示意图;
图2是本发明硒化段的截面放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细介绍本发明:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柳州百韧特先进材料有限公司,未经柳州百韧特先进材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310627390.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于工件表面处理的喷砂房
- 下一篇:半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的