[发明专利]具有相同鳍型场效晶体管栅极高度的结构及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供由半导体基板蚀刻成并由氧化物层和氮化物层覆盖的多个鳍，该氧化物层设置在所述多个鳍和所述氮化物层之间；

去除所述多个鳍的一部分以形成开口；

在所述开口的侧壁上形成电介质间隔壁；

用填充材料填充所述开口，其中所述填充材料的顶表面与所述氮化物层的顶表面实质上齐平；

去除所述氮化物层以在所述多个鳍和所述填充材料之间形成间隙，其中所述填充材料具有在所述间隙之上延伸的凹形几何形状；以及

去除所述凹形几何形状且使所述多个鳍和所述填充材料之间的所述间隙加大。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

去除所述氧化物层；以及

凹陷所述填充材料使所述填充材料的所述顶表面与所述多个鳍的顶表面实质上齐平。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

在所述多个鳍和所述填充材料之上和之间形成栅极。

4.如权利要求3所述的方法，其中形成所述栅极包括采用先栅极工艺流程或置换栅极工艺流程。

5.如权利要求1所述的方法，其中用填充材料填充所述开口包括沉积氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中从半导体基板蚀刻而提供多个鳍包括提供体基板或绝缘体上半导体基板。

7.一种结构，包括

第一多个鳍和第二多个鳍，由半导体基板蚀刻成；以及

填充材料，设置在所述半导体基板之上以及所述第一多个鳍和所述第二多个鳍之间，其中所述填充材料不接触所述第一多个鳍或所述第二多个鳍。

8.如权利要求7所述的结构，还包括：

栅极，设置在所述第一多个鳍、所述第二多个鳍和所述填充材料之上和之间，其中所述栅极包括至少一种与所述填充材料不同的材料。

9.如权利要求7所述的结构，其中所述填充材料具有与所述第一多个鳍和所述第二多个鳍实质上相同的高度。

10.如权利要求7所述的结构，其中所述填充材料包括氧化物。

11.如权利要求7所述的结构，其中所述半导体基板包括体基板或绝缘体上半导体基板。