[发明专利]外壳及其制造方法在审
| 申请号： | 201310614634.1 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104669709A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张春杰 | 申请（专利权）人： | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/06;H05K5/04 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外壳 及其 制造 方法 | ||
1.一种外壳，其包括基材及形成于基材表面的透明膜，该透明膜包括打底层、过渡层和透明层，其特征在于：该打底层为铬层，该过渡层为碳化铬层，该透明层为硅层，该打底层形成于所述基材的表面，该过渡层形成于该打底层的表面，该透明层形成于该过渡层的表面。
2.如权利要求1所述的外壳，其特征在于：所述透明层由硅原子组成，该透明层的厚度为0.1-0.3μm。
3.如权利要求1所述的外壳，其特征在于：所述打底层的厚度为0.1-0.3μm，所述过渡层的厚度为0.2-0.4μm。
4.如权利要求1所述的外壳，其特征在于：所述基材的材质为金属、塑料或陶瓷。
5.一种外壳的制造方法，其包括如下步骤：
提供基材；
以铬靶为靶材，采用磁控溅射法在基材表面溅镀打底层，该打底层为铬层；
以铬靶为靶材，通入反应气体乙炔，采用磁控溅射法在打底层的表面溅镀过渡层，该过渡层为碳化铬层；
以硅靶为靶材，采用磁控溅射法在过渡层的表面溅镀透明层，该透明层为硅层。
6.如权利要求5所述的外壳的制造方法，其特征在于：所述基材的材质为金属、塑料或陶瓷。
7.如权利要求5所述的外壳的制造方法，其特征在于：所述打底层的厚度为0.1-0.3μm，制备该打底层的工艺参数为：铬靶使用射频电源，铬靶功率为8-15KW，通入氩气，氩气流量为100-150sccm，镀膜室的室内温度为120-180℃，施加于基材的负偏压为100-250V，镀膜时间为5-10min。
8.如权利要求5所述的外壳的制造方法，其特征在于：所述过渡层的厚度为0.2-0.4μm，制备该过渡层的工艺参数为：铬靶使用射频电源，铬靶功率为6-12KW，通入氩气，氩气流量为80-140sccm，乙炔流量为50-75sccm，镀膜室的室内温度为100-150℃，施加于基材的负偏压为200-300V，镀膜时间为40-50min。
9.如权利要求5所述的外壳的制造方法，其特征在于：所述透明层由硅原子组成，该透明层的厚度为0.1-0.3μm，制备该透明层的工艺参数为：硅靶使用射频电源，硅靶功率为4-8KW，通入氩气，氩气流量为50-135sccm，镀膜室的室内温度为90-120℃，施加于基材的负偏压为200-400V，镀膜时间为20-40min。
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