[发明专利]一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路

权利要求书

1.一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，其特征是：把第一逻辑电平范围转换为第二逻辑电平范围的转换电路，它包括：（a）具有第一输入晶体管和第二输入晶体管的输入级，第一输入晶体管用来接收第一输入信号，第二输入晶体管用来接收第二输入信号，第二输入信号是第一输入信号的补充，第一第二输入晶体管连接到一个高电势电源导轨；（b）一个输出级，它具有一个连接到第二输出晶体管的第一输出晶体管，以及连接到第四输出晶体管的第三晶体管，其中输出级是一个CMOS输出级，第一输出晶体管和第三输出晶体管是PMOS晶体管，第二和第四输出晶体管是NMOS晶体管，第一输出晶体管连接到高电势电源轨道和所述第一输入晶体管，第二输出晶体管连接到低电势电源轨道和第四输出晶体管，第三输出晶体管连接到高电势电源轨道和第二输入晶体管，第四输出晶体管连接到低电势电源轨道；（c）参考级包括：（i）第一参考晶体管，它是一个PMOS晶体管，第一参考的源节点连接到高电势电源轨道，它的栅节点连接到第一参考晶体管的漏节点，它的漏节点通过第一电流调节器的一个双极型调节晶体管，连接到低电势电源轨道，（ii）第二参考晶体管，它是一个双极型晶体管，其集电极节点连接到高电势电源轨道，基极节点连接到第一参考晶体管的漏极节点，发射极节点连接到第一输出晶体管的栅级节点和第三输出晶体管的栅级节点。

2.根据权利要求1所述的一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，其特征是：参考阶段和输入级连接到独立的参考电压源。

3.根据权利要求1所述的一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，其特征是：所述电路包括：（a）一个ECL输入级，它含有一个输入晶体管和一个额外输入的晶体管，输入晶体管的集电极节点通过第一旋转电阻，连接到第一直通晶体管和高电势电源轨道，额外输入晶体管的集电极节点通过第二旋转电阻，连接到第二直通晶体管和高电势电源轨道，输入晶体管的发射极节点连接到额外输入晶体管的发射极节点；（b）一个CMOS输出级包括：（i）第一组MOS晶体管，它包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，第一PMOS晶体管的源极节点通过第一直通晶体管连接到高电势电源轨道，第一PMOS晶体管的漏极节点连接到栅级节点和第一NMOS晶体管的漏极节点，第一NMOS晶体管的源极节点连接到低电势电源轨道；（ii）第二组MOS晶体管，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，第二PMOS晶体管的源极节点通过第二直通晶体管连接到高电势电源轨道，第二PMOS晶体管的漏极节点连接到第二NMOS晶体管的漏极节点，第二NMOS晶体管的源极节点连接到低电势电源轨道，第二NMOS晶体管的栅级节点连接到第一PMOS晶体管的漏极节点和第一NMOS晶体管的栅级节点；（c）参考电压阶段含有；（i）一个MOS参考晶体管，它包括，一个连接到高电势电源轨道的源极节点，通过第一电流调节器连接到低电势电源轨道的漏极节点，连接到漏极节点的栅级节点；（ii）第一双极型参考晶体管，包括，一个集电极节点，它连接到高电势电源轨道，一个基极节点，连接到MOS参考晶体管的漏极节点，一个发射极节点，通过第二电流调节器连接到低电势电源轨道，发射极节点进一步连接到第一PMOS晶体管的栅级节点和第二PMOS晶体管的栅级节点。

4.根据权利要求3所述的一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，其特征是：第一电流调节器包括一个第二双极型参考晶体管，其集电极节点连接到MOS参考晶体管的漏极，发射极节点通过参考电阻连接到低电势电源轨道。

5.根据权利要求3所述的一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，其特征是：MOS参考晶体管是一个PMOS晶体管，制造它来最大化经过该晶体管的电流，并最小化PMOS晶体管的宽度。