[发明专利]MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201310612664.9 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103594529A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 夏正月;高艳涛;陈同银;刘仁中;董经兵;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mwt 钝化 结合 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池,其特征在于包括:依次叠加的钝化膜、磷扩散层、P型硅基体、氧化铝薄膜、叠层保护膜和铝印刷层结构,上述结构上具有贯通孔,孔内穿装有灌孔银电极,孔壁与灌孔银电极之间覆盖有介质薄膜,所述灌孔银电极的顶部覆盖有正面银电极,所述铝印刷层上具有间隔的凸起,所述凸起穿过叠层保护膜和氧化铝薄膜并与P型硅基体形成局域铝背场接触。
2.如权利要求1所述的MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池,其特征在于:所述磷扩散层为n型层,其方阻值为30-120ohm/sq。
3.如权利要求1所述的MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池,其特征在于:所述钝化膜为SiNx或SiOx减反射钝化膜。
4.如权利要求1所述的MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池,其特征在于:所述氧化铝薄膜厚度为1-100nm。
5.如权利要求1所述的MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池,其特征在于:所述叠层保护膜为SiNx、SiCx或TiOx。
6.如权利要求1所述的MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于包括以下步骤:
1)激光钻孔;
2)硅片去损伤并制绒,制绒面为激光末端面;
3)扩散;
4)去除背面磷硅玻璃,并实现背面抛光;
5)背面氧化铝薄膜和叠层保护膜生长;
6)正面减反射薄膜生长;
7)背面背面氧化铝薄膜和叠层保护膜开孔;
8)在背面印刷灌孔浆料;
9)在背面印刷背银;
10)印刷背铝,正银,烧结,测试。
7.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于:所述步骤4)中采用在线滚轮式设备单面去除背面磷硅玻璃。
8.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于:所述步骤7)中的开孔方法而为腐蚀性浆料开孔或者激光开孔。
9.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于:所述步骤8)和步骤9)同时采用同种浆料印刷。
10.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于:所述步骤10)中烧结采用激光烧结法形成背面点接触。
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