[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，依次在所述半导体衬底表面形成栅介质膜和栅导电膜；

对所述栅介质膜和栅导电膜进行刻蚀形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和栅导电层；

采用沉积工艺在栅极结构两侧的半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层顶部高于栅介质层顶部；

对所述栅极结构进行再氧化工艺，在栅极结构表面形成氧化层，所述氧化层还位于绝缘层的表面；

对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行掺杂，形成掺杂区；

所述绝缘层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10埃至300埃。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成步骤包括：采用沉积工艺在所述栅极结构顶部和侧壁、以及半导体衬底表面形成绝缘膜；回刻蚀所述绝缘膜，刻蚀去除位于栅极结构顶部的绝缘膜，在栅极结构两侧的半导体衬底表面形成绝缘层，且所述绝缘层顶部高于栅介质层顶部。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺为干法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成步骤包括：采用沉积工艺在所述栅极结构两侧的半导体衬底表面形成绝缘膜；刻蚀去除部分厚度的绝缘膜，在栅极结构两侧的半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层顶部高于栅介质层的顶部。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除部分厚度的绝缘膜的工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。

7.根据权利要求3或5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的工艺参数为：反应气体包括臭氧和硅源气体，其中，硅源气体为SiH4或SiH2Cl2，臭氧流量为100sccm至1000sccm，硅源气体流量为100sccm至5000sccm，反应腔室温度为300度至600度，腔室压强为50托至500托。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用炉管工艺进行所述再氧化工艺。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述炉管工艺的工艺参数为：反应气体包括O2，O2流量为1000sccm至15000sccm，反应腔室温度为500度至800度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层顶部低于栅导电层顶部。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂区包括轻掺杂区和重掺杂区。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述栅介质膜和栅导电膜进行刻蚀的工艺为干法刻蚀。