[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 201310611367.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103838292A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 大原智光;吉国雅人 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
1.一种半导体集成电路，其具有输出MOS晶体管，上述输出MOS晶体管具有与电源端子连接的电源侧电极、和与输出端子连接的输出侧电极，该半导体集成电路通过使上述输出MOS晶体管导通/截止能够与连接在上述输出端子上的其他半导体集成电路进行通信，上述半导体集成电路的特征在于，
上述半导体集成电路具有：背栅控制电路，其控制上述输出MOS晶体管的背栅的电位，以便切断与上述电源端子连接的电源断开时的、上述电源端子和上述输出端子之间的电流路径。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述背栅控制电路具有第1控制电路和第2控制电路，
当通过上述第1控制电路使上述背栅和上述电源端子短路时，上述第2控制电路切断上述背栅和上述输出端子之间的第1电流路径，
当通过上述第2控制电路使上述背栅和上述输出端子短路时，上述第1控制电路切断上述背栅和上述电源端子之间的第2电流路径。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述第1控制电路具有：形成切断上述第2电流路径的第1寄生元件的第1控制MOS晶体管，
上述第2控制电路具有：形成切断上述第1电流路径的第2寄生元件的第2控制MOS晶体管。
4.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述电源侧电极与上述电源端子的一高电位侧端子连接，
上述第1控制电路使上述背栅和上述电源端子的另一低电位侧端子短路。
5.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述电源侧电极与上述电源端子的一高电位侧端子连接，
上述第1控制电路使上述背栅和上述高电位侧端子短路。
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