[发明专利]一种微结构层及发光二极管

说明书

本发明涉及一种微结构层，其由多个相互间隔的微球组成，所述多个微球沿多个直线延伸，所述微球的尺寸为20纳米~100纳米，在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为10纳米~300纳米，所述微结构层设置于一基板的表面，并通过范德华力与所述基板紧密结合而成一一体结构。本发明还涉及一种设置了微结构层的发光二极管。

技术领域

本发明涉及一种微结构层及发光二极管，尤其涉及一种纳米级微结构以及将该微结构应用于发光二极管。

背景技术

在现有技术中，制作各种半导体设备时，常需要制作具有数十纳米到数百纳米的微结构。然而，采用先蒸镀或沉积金属层，然后刻蚀的手段难以得到纳米级的微球，要做到定向排布的纳米尺寸的微颗粒，并且微颗粒之间间距较小，比较难以实现。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种微结构层，该微结构层中的微球的尺寸及间距均为纳米级。

一种微结构层，其由多个相互间隔的微球组成，所述多个微球沿多个直线延伸，所述微球的尺寸为20纳米~100纳米，在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为10纳米~300纳米，所述微结构层设置于一基板的表面，并通过范德华力与所述基板紧密结合而成一一体结构。

一种微结构层，其包括：多个相互间隔的微球，所述多个微球沿多个直线延伸，所述微球包括一内层及包覆于所述内层的一外层，所述微球的尺寸为10纳米~100纳米，在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为20纳米~100纳米，所述微结构层设置于一基板的表面，并通过范德华力与所述基板紧密结合而成一一体结构。

一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、活性层、第二半导体层、一第一电极、一第二电极、一微结构层及一透明导电层，所述第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的表面，所述第一电极设置于所述第一半导体层的表面，所述第二电极和微结构层设置于所述第二半导体层的表面，所述微结构层包括多个相互间隔的微结构，所述多个微球均匀分布，所述微球的尺寸为10纳米~300纳米，在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为10纳米~300纳米，所述多个微球通过范德华力与所述第二半导体层紧密结合而成一一体结构。

相较于现有技术，本发明所述微球多个相互间隔且均匀分布，所述微球的尺寸为纳米级，相邻两个微球之间的间距也为纳米级。并且，所述微球与所述第二半导体层紧密结合而成一一体结构，因而不易脱落。所述微球设置于发光二极管的第二半导体层的表面时，由于所述微球的间距及尺寸均为纳米级，因而具有特殊的光学效应。当发出的光到达所述微结构层，会发生衍射现象，从而改变光的出射方向，从而实现了发光二极管的大角度光的取出，提高了发光二极管的光取出效率。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的所述微结构的制备方法的流程图。

图2为本发明采用的碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。

图3为本发明采用的非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图4为本发明采用的扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图5及图6为本发明第一实施例提供的微结构的扫描电镜照片。

图7为本发明第一实施例提供的发光二极管的结构示意图。

图8为图7所述发光二极管设置不同的微结构后的发光效率对比图。

图9为图7所述发光二极管与普通的发光二极管在不同的激励电流下的发光效率的对比图。

图10为图7所述发光二极管与普通的发光二极管在0.1A的激励电流下的发光效率曲线的对比图。

图11为本发明第二实施例所述微结构的结构示意图。