[发明专利]一种微结构层及发光二极管有效
申请号: | 201310607762.3 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN104681688B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/00;B82Y30/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微结构 发光二极管 | ||
1.一种微结构层,由多个相互间隔的微球组成,其特征在于,所述微结构层设置于一基板的表面用于提高光学偏振效果及光取出效率,并通过范德华力与所述基板紧密结合而成一一体结构,所述多个微球为实心结构体,所述多个微球在所述基板的表面沿多个直线延伸,所述微球的尺寸为20纳米~100纳米,在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为10纳米~300纳米。
2.如权利要求1所述的微结构层,其特征在于,在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为20纳米~100纳米。
3.如权利要求1所述的微结构层,其特征在于,所述微球的材料为金、银、镍、钛、铁、铝、铂、钯、铬、钼、钨、铜、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铪、或二氧化硅中的至少一种。
4.一种微结构层,其由多个相互间隔的微球组成,其特征在于,所述微结构层设置于一基板的表面用于提高光学偏振效果及光取出效率,并通过范德华力与所述基板紧密结合而成一一体结构,所述多个微球为实心结构体,所述多个微球在所述基板的表面沿多个直线延伸,所述微球的尺寸为10纳米~100纳米,在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为20纳米~100纳米,所述微球包括一内核和一包覆该内核的外壳。
5.如权利要求4所述的微结构层,其特征在于,所述微球的尺寸为40纳米~100纳米。
6.如权利要求4所述的微结构层,其特征在于,在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为50纳米~100纳米。
7.如权利要求4所述的微结构层,其特征在于,所述内核为一类球形的实体结构,所述外壳为一层状的实体结构。
8.如权利要求7所述的微结构层,其特征在于,所述内核的材料为金属,所述外壳的材料为介质层。
9.一种发光二极管,其包括:一基底、一第一半导体层、活性层、第二半导体层、一第一电极、一第二电极、一微结构层及一透明导电层,所述第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的表面,所述第一电极设置于所述第一半导体层的表面,所述第二电极和微结构层设置于所述第二半导体层的表面,所述微结构层由多个相互间隔的微球组成,所述多个微球为实心结构体,所述多个微球在所述第二半导体层的表面沿多个直线延伸,所述微球的尺寸为10纳米~300纳米,在所述直线的延伸方向上相邻的两个微球之间的间距为10纳米~300纳米,所述多个微球通过范德华力与所述第二半导体层紧密结合而成一一体结构,所述微结构层用于提高所述发光二极管的光学偏振效果及光取出效率。
10.如权利要求9所述的发光二极管,其特征在于,所述微结构层设置于所述透明导电层与所述第二电极之间,所述微结构层覆盖所述第二半导体层的部分表面。
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