[发明专利]射频模块及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年11月26日提交的题为“RF（射频）模块及制造其的方法”的韩国专利申请第10-2012-0134455号的权益，在此将其全部内容结合于本申请以供参考。

技术领域

本发明涉及一种RF模块及制造其的方法，且更具体地，涉及一种能够设计圆片级芯片尺寸封装（WLCSP）的IC电路并且能够设计具有足够自由度的输入/输出（I/O）节距（pitch，间距）的RF模块以及制造其的方法。

背景技术

在已用于蜂窝电话等的RF模块中，高频特性非常重要。对高频特性最敏感的部分是在半导体（LSI）芯片终端和外部部件之间的配线。根据现有技术，配线变为结合配线封装基板后电极部件终端的LSI芯片，并且因此变长。在RF模块的情况下，优选地，在模块中增加在模块中的配线数量并且减少在模块中的外部连接终端的数量。在常规模块技术中，封装的基板一侧可采用多层配线和大量配线，但是后电极一侧通常难以采用大量配线。此外，信号路径也具有二维结构。当信号路径具有三维结构时，信号路径可以尽可能地短，并且还可改善高频特性。此外，还可减小安装面积，并且因此可减少产品造价。为此，当三维地安装信号路径时，需要缩短信号路径。

图1是示出根据现有技术的具有其中半导体封装件堆叠在WLCSP上的POP结构的RF模块的示图。

参照图1，在根据现有技术的RF模块中，I/O形成为WLCSP126的TSV134，使用凸块148形成封装件上的封装件（POP）结构，或形成与外部的相互连接。此外，RF模块具有其中器件被进一步安装在半导体管芯（IC）122的上表面和下表面上并且通过TSV134相互连接的结构。在这种情况下，凸块148的高度大于安装在半导体管芯（IC）122上的器件140的高度，使得难以形成精细节距。因此，可能限制电路设计的自由度。

[现有技术文献]

[专利文献]

（专利文献1）美国专利公开第US2011/0215458号

（专利文献2）韩国专利公开第10-2011-0002074号

（专利文献3）日本专利公开第2007-273982号

发明内容

本发明的目的在于提供一种通过允许RF IC器件执行主电路基板的功能并且引入辅助基板来确保I/O实施的灵活性而能够设计圆片级芯片尺寸封装（WLCSP）的IC电路并且能够设计具有足够自由度的输入/输出（I/O）节距的RF模块以及制造其的方法。

根据本发明的示例性实施方式，提供了一种RF模块，包括：RF IC器件，用作主基板并且设置有通孔，所述RF IC器件的上表面和下表面通过所述通孔彼此连接；电子部件，安装在所述RF IC器件的所述上表面或所述下表面上；模制材料，使所述电子部件被密封于其中以保护所述电子部件，并且形成在所述RF IC器件的所述上表面或所述下表面上；以及辅助基板，与所述RF IC器件的所述上表面或所述下表面耦接，并且提供安装除了被密封在所述模制材料中的所述电子部件之外的其他电子部件的位置。

所述辅助基板可设置有具有预定尺寸的通孔以在所述辅助基板中安装所述其他电子部件。

根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种制造RF模块的方法，包括：a）制备用作主基板的RF IC器件；b）在所述RF IC器件中形成通孔并且利用导电材料填充所述通孔，所述RF IC器件的上表面和下表面通过所述通孔彼此连接；c）分别在所述RF IC器件的两个表面上形成金属配线层以连接至所述通孔；d）在所述RF IC器件的一侧的所述金属配线层上安装电子部件；e）利用模制材料模制安装所述电子部件的所述RF IC器件的所述一侧；f）将设置有具有预定尺寸的通孔以便在其中安装其他电子部件的辅助基板与所述RF IC器件的另一表面耦接；以及g）通过所述辅助基板的所述通孔在所述RF IC器件的所述另一表面上安装所述其他电子部件。

在步骤b）中，可通过使用受激准分子激光或CO₂激光的干法蚀刻来形成所述通孔。

在步骤b）中，填充在所述通孔中的所述导电材料可以是铜或银。

可通过电镀将所述铜填充在所述通孔中。

制造RF模块的方法可进一步包括：在步骤d）中，为了在所述RF IC器件的所述一侧的所述金属配线层上安装所述电子部件，在所述RF IC器件的所述一侧的所述金属配线层上形成凸块。

在步骤e）中，所述模制材料可以是热固性树脂或热塑性树脂。