[发明专利]射频模块及其制造方法无效
申请号: | 201310606590.8 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103839929A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 崔丞镕 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L23/538;H01L23/04;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种RF模块,包括:
RF IC器件,用作主基板并且设置有通孔,所述RF IC器件的上表面和下表面通过所述通孔彼此连接;
电子部件,安装在所述RF IC器件的所述上表面或所述下表面上;
模制材料,使所述电子部件被密封于其中以保护所述电子部件,并且形成在所述RF IC器件的所述上表面或所述下表面上;以及
辅助基板,与所述RF IC器件的所述上表面或所述下表面耦接,并且提供安装除了被密封在所述模制材料中的所述电子部件之外的其他电子部件的位置。
2.根据权利要求1所述的RF模块,其中,所述辅助基板设置有具有预定尺寸的通孔以在所述辅助基板中安装所述其他电子部件。
3.一种制造RF模块的方法,包括:
a)制备用作主基板的RF IC器件;
b)在所述RF IC器件中形成通孔并且利用导电材料填充所述通孔,所述RF IC器件的上表面和下表面通过所述通孔彼此连接;
c)分别在所述RF IC器件的两个表面上形成金属配线层以连接至所述通孔;
d)在所述RF IC器件的一侧的所述金属配线层上安装电子部件;
e)利用模制材料对安装有所述电子部件的所述RF IC器件的所述一侧成模;
f)将设置有具有预定尺寸的通孔以便在其中安装其他电子部件的辅助基板与所述RF IC器件的另一表面耦接;以及
g)通过所述辅助基板的所述通孔在所述RF IC器件的所述另一表面上安装所述其他电子部件。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在步骤b)中,通过使用受激准分子激光或CO2激光的干法蚀刻来形成所述通孔。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,在步骤b)中,填充在所述通孔中的所述导电材料是铜或银。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,通过电镀将所述铜填充在所述通孔中。
7.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:
为了在步骤d)中在所述RF IC器件的所述一侧的所述金属配线层上安装所述电子部件,在所述RF IC器件的所述一侧的所述金
属配线层上形成凸块。
8.根据权利要求3所述的方法,其中,步骤e)中的所述模制材料是热固性树脂或热塑性树脂。
9.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:
为了在步骤f)中将所述辅助基板与所述RF IC器件的所述另一表面耦接,在所述RF IC器件的所述另一表面的所述金属配线层上形成凸块。
10.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:
为了在步骤g)中在所述RF IC器件的所述另一表面上安装所述其他电子部件,在与所述辅助基板的所述通孔的区域对应的所述RF IC器件的所述另一表面的所述金属配线层上形成凸块。
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