[发明专利]一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法

说明书

技术领域

本发明属于粉末冶金技术领域。特别涉及一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法。将铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料或者直接用对应组分的铜包覆钨粉作为烧结原料粉体，将原料粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。

背景技术

W-Cu复合材料兼具钨和铜两者的优点，具有高密度、高强度、良好的导电性和良好的导热性等特点，且通过调控两相组分比例，可以制备得到满足不同应用的W-Cu复合材料。目前W-Cu复合材料正被广泛的用于大规模集成电路或微电子器件的电子封装材料、电触头材料、电火花加工和电极材料、火箭喷嘴材料等。然而，由于钨铜两种元素的密度、熔点差异很大、润湿性极差且在固态或液态都几乎不互溶，这使得制备高性能的钨铜复合材料难度很大。制备钨铜复合材料最常用的方法是溶渗法和高温液相烧结法。熔渗法是首先将钨粉通过压制成具有一定密度和强度的多孔W骨架坯块，再通过高温烧结制得具有指定孔隙度和较高强度的W骨架，然后在真空或保护气氛进行熔渗Cu（一般1300～1400℃），使液态Cu在毛细管力作用下渗入多孔钨骨架，从而制得W-Cu复合材料。高温液相烧结法是指将W、Cu原料粉末经混料、冷压压制成型后，在较高的烧结温度下（通常为1250～1400℃）通过液相铜的毛细管力作用和钨颗粒的重排得到钨铜复合材料。

上述两种方法制备得到的钨铜复合材料的结构和性能都不相同。采用溶渗法（如中国专利CN101392335A）由于先制备得到具有一定孔隙度和强度钨的骨架，再进行溶渗铜，所制备得到的钨铜复合材料具有钨骨架连通结构和铜的贯穿网络结构的互联结构，这也使得通过溶渗法制备的钨铜复合材料的力学强度高，热、电性能也较好。但由于钨骨架制备难度大，且空隙分布难以达到理想的均匀分布状态，所以其组分和微观结构均匀性不好。采用高温液相烧结法制备钨铜复合材料不能得到钨的骨架结构，其理想情况下只能得到两相均匀分布的且要形成铜的贯穿网络结构才能得到高导电、导热的钨铜复合材料。利用高温液相烧结法制备得到的钨铜复合材料的组分和微观结构的均匀性和原料粉体有关，若采用微米级以上的钨铜原料粉体，由于其密度差异大，难以混合均匀，此外由于钨铜润湿性极差，几乎无溶解度，制备出的钨铜复合材料致密度低（一般只有92%～95%），进而性能也较差。研究者们也发展了如采用机械合金化法（如CN1566387）、热化学法（如CN101078068A）、溶胶-喷雾干燥法（如CN102041421A）等制备纳米复合粉体以实现钨铜组分的均匀分布，此外纳米复合粉体也提高了其烧结性能，能够制备出高致密的钨铜复合材料。

但由于钨铜界面润湿性极差，而界面润湿性关系到界面结合，对复合材料的热、电性能尤其是力学性能影响很大，溶渗和液相烧结法均没有使其界面性能得到改善。通过添加烧结助剂如Fe、Co、Ni、Pd、Zn（如CN102031411A）虽能改善其界面润湿，但传统的混料添加方式却会使得添加量较大从而大大降低复合材料的性能。溶渗法工艺复杂，产品质量不稳定，组分、微观结构均匀性差，需要后续加工去除表面多余的铜，生产成本高；高温液相烧结法只有采用纳米复合粉体才能实现组分及微观结构均匀，而纳米复合粉体的制备工艺也较复杂。此外目前的制备方法的烧结温度都较高尤其是对于高钨含量钨铜复合材料。

中国专利文献CN102492884A公布了一种新型钨铜锌合金材料的制备方法，利用纯钨粉和铜包覆钨粉与微米级铜粉和锌粉经混料、冷压后采用放电等离子烧结制备出了钨铜锌复合材料，但其致密度较低（仅在95%以上），且由于Zn的加入使得复合材料性能变差。中国专利文献CN103194712A公布了一种高导热性的钨铜热沉及电子封装材料及其制备方法，其采用真空等离子喷涂在铜或铜合金基体上得到钨铜复合涂层，但涂层厚度仅为100～2000μm，并不适合大尺寸钨铜复合材料制备。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有制备钨铜复合材料中存在的如组分及结构的均匀性差、钨铜界面润湿性极差、致密度低、烧结温度高、工艺复杂且流程长、需要后期加工等缺陷与不足，提供一种新的制备高性能钨铜复合材料的低温制备方法。

本发明解决其技术问题采用以下的技术方案：

本发明提供的高性能钨铜复合材料的制备方法，具体是：

（1）按质量比例为钨：铜=1:1～9:1的比例称量铜的质量分数为5%～50%的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料8～24h后得到混合粉体，然后将该混合粉体装入模具中；

或者，直接用铜的质量分数为10%～50%的铜包覆钨复合粉体为烧结原料粉体，然后将该原料粉体装入模具中；